STFU25N60M2-EP

STFU25N60M2-EP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了寄生电容，从而在保持高阻断电压能力的同时，提升了开关性能与效率。这种设计使其在硬开关和软开关拓扑中均能表现出色，为电源系统设计提供了坚实的硬件基础。

该器件具备多项关键电气特性，使其在高压应用中优势明显。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级AC-DC转换或电机驱动等场合下的高可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为18A，结合低至188毫欧（典型值）的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通期间的功率损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极总电荷（Qg）最大值仅为29nC，这有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，提升系统整体能效。

在接口与参数方面，该器件采用通孔安装的TO-220FP封装，提供了良好的机械强度和散热能力。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，为驱动电路提供了充足的安全裕量。输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为1090pF，结合低Qg特性，共同决定了其快速的开关响应速度。器件的结温工作范围宽达-55°C至150°C，并能在壳温（Tc）条件下耗散最高30W的功率，这使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST芯片代理渠道进行采购与咨询。

基于其高性能与高可靠性，STFU25N60M2-EP非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括工业开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主变换器、UPS（不间断电源）系统、电机驱动与变频器、以及电焊机和照明镇流器等。在这些场景中，其优异的开关特性与低损耗有助于提升系统效率与功率密度，满足现代电子设备对节能和小型化的持续需求。

• 型号:STFU25N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFU25N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与18A连续漏极电流（Id），专为高效、高可靠性的高压开关应用而设计。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的优化结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至188毫欧，同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为29nC。这一特性组合能显著降低系统的导通与开关损耗，提升整体能效。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。