STFU9N65M2

作为ST意法半导体MDmesh M2产品系列中的一员，STFU9N65M2是一款采用先进超结技术制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的垂直结构设计，通过精密的单元布局和电荷平衡技术，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种设计使得器件在高压开关应用中能够实现更低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该器件具备650V的高漏源击穿电压（Vdss），这为在交流输入整流后或PFC（功率因数校正）等高压场合提供了充足的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5A，结合仅900毫欧（@2.5A，10V）的最大导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下具有出色的电流处理能力和较低的功率耗散。其栅极驱动特性也经过优化，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为4V，而驱动电压（Vgs）推荐为10V以达到最佳Rds(on)，这有助于简化驱动电路设计并保证稳定可靠的开关动作。

在动态性能方面，STFU9N65M2表现出较低的栅极电荷（Qg，最大值10nC @10V）和输入电容（Ciss，最大值315pF @100V）。这些参数直接关系到开关速度与驱动损耗，较低的数值意味着器件可以实现更快的开关频率，同时减少驱动级所需的能量，这对于高频开关电源设计至关重要。其最大栅源电压（Vgs）为±25V，提供了较强的抗干扰能力。器件采用TO-220FP封装，这是一种经典的绝缘型通孔封装，便于安装散热器以实现有效的热管理，其最大功率耗散能力在壳温条件下为20W，结温工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取此型号及相关技术支持。

基于其高压、低导通电阻和高效率的特性，这款MOSFET非常适合应用于要求高可靠性和高能效的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的LED驱动电源、工业电机控制的辅助电源以及家用电器中的功率因数校正电路。在这些场景中，它能够有效提升系统功率密度，降低温升，并有助于满足日益严格的能效标准。

• 型号:STFU9N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFU9N65M2是ST意法半导体推出的MDmesh M2系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压与低至900毫欧的导通电阻的出色结合，这得益于其先进的超结技术，旨在显著降低高压应用中的传导损耗。

其动态特性同样优异，具备较低的栅极电荷（10nC）和输入电容，有利于实现高速开关并降低驱动损耗，提升高频开关电源的效率。器件额定连续漏极电流为5A，最大功率耗散20W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各类功率转换场景下的鲁棒性和长期可靠性。