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VND05B(011Y)

ST图标
电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRVR N-CH 1:1 HEPTAWATT-7
原厂封装:供应商器件封装:7-HEPTAWATT
优势价格,VND05B(011Y)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VND05B(011Y)的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VND05B(011Y)是ST意法半导体推出的一款集成式高端智能功率开关,采用单芯片设计,集成了两个独立的N沟道功率MOSFET及其驱动与保护电路。该器件采用HEPTAWATT-7通孔封装,专为在恶劣的汽车和工业环境中直接驱动各类阻性、感性和容性负载而优化,例如灯泡、继电器、螺线管和小型电机。其核心架构基于先进的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技术,将精确的逻辑控制电路与高功率处理能力的DMOS输出级集成于一体,确保了高效、可靠的开关操作。

该芯片具备全面的诊断与保护功能,是其显著的技术优势。它提供了状态标志输出,能够向微控制器报告开关的实时工作状态,包括正常导通、过载或过热关断等,极大地增强了系统的可观测性和安全性。在故障保护方面,它集成了开路负载检测功能,能够在输出断开时进行识别;同时具备强大的过温保护,当结温超过安全阈值时会自动关断输出,并在温度恢复正常后自动重启,有效防止器件因过热而损坏。其输入接口采用非反相逻辑,兼容标准的CMOS和TTL电平,通过简单的开/关信号即可控制,简化了系统设计。作为一款已停产但仍广泛应用于现有设计的成熟产品,用户可通过ST授权代理获取库存或替代方案咨询。

在电气参数上,VND05B(011Y)支持宽范围的负载工作电压,从6V至26V,覆盖了12V和24V车辆电气系统的典型需求。每个通道可提供高达1.6A的持续输出电流,其功率MOSFET的导通电阻典型值低至200毫欧,这有助于在导通状态下最小化功率损耗和温升,提升整体能效。器件设计工作在-40°C至150°C的宽结温范围内,确保了在极端温度环境下的稳定性和耐用性。由于它采用高端驱动配置,并且无需独立的VCC供电电压,简化了电源设计,特别适合直接由电池供电的应用场景。

基于其稳健的性能和集成化的保护特性,该器件主要面向需要高可靠性的汽车车身控制模块,如用于驱动前照灯、雾灯、座椅加热器、门锁或车窗升降电机。在工业自动化领域,它也常用于可编程逻辑控制器(PLC)的数字输出模块,以安全地开关电磁阀、接触器和小型执行机构。其通孔封装形式使其在需要高机械强度和良好散热性能的早期或特定板卡设计中仍有一席之地。

  • 制造商产品型号:VND05B(011Y)
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC PWR DRVR N-CH 1:1 HEPTAWATT-7
  • 产品系列:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:2
  • 比率-输入:输出:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压-负载:6V ~ 26V
  • 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要
  • 电流-输出(最大值):1.6A
  • 导通电阻(典型值):200 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:状态标志
  • 故障保护:开路负载检测,超温
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:7-HEPTAWATT
  • 想获取VND05B(011Y)的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VND05B(011Y)是ST意法半导体生产的一款双通道高端智能功率开关IC,属于电源管理IC中的配电开关与负载驱动器类别。该器件采用7引脚HEPTAWATT通孔封装,集成了两个独立的N沟道功率MOSFET,每个通道可处理高达1.6A的持续电流,并支持6V至26V的宽负载电压范围,非常适合12V/24V汽车电池系统。

其核心价值在于高度的集成性与可靠性。器件具备低至200毫欧的典型导通电阻,有效降低了导通损耗。同时,它集成了全面的保护功能,包括开路负载检测和过温关断,并提供了状态标志输出用于实时诊断,极大增强了驱动电路的安全性和可维护性。其简单的开/关控制接口与非反相输入逻辑,使得它能够方便地由微控制器直接驱动。

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