STP75NF20

STP75NF20是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻与高开关速度的平衡。其核心设计旨在降低导通损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该架构确保了在高压大电流工作条件下，器件仍能保持稳定的电气性能和可靠的热特性。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通性能与稳健的开关能力。其漏源击穿电压(Vdss)高达200V，为开关电源、电机驱动等应用提供了充足的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流(Id)额定值可达75A，展现出强大的电流处理能力。更关键的是，其在10V栅极驱动电压、37A漏极电流条件下的导通电阻(Rds(on))典型值仅为34毫欧，这一低导通电阻直接转化为更低的传导损耗和发热量，提升了系统能效。同时，其栅极电荷(Qg)在10V条件下最大值为84nC，较低的栅极电荷有助于降低驱动电路的损耗，并实现更快的开关速度，这对于高频开关应用尤为重要。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热。其栅极驱动电压范围宽泛，最大栅源电压(Vgs)为±20V，而开启阈值电压(Vgs(th))最大为4V，确保了良好的噪声抑制能力和易驱动性。其最大结温(TJ)范围为-55°C至150°C，在壳温条件下最大功耗为190W，结合TO-220封装良好的热传导路径，使其能够承受较高的功率耗散。输入电容(Ciss)等动态参数也经过优化，以平衡开关速度和电磁干扰(EMI)。用户可以通过正规的ST代理商获取完整的数据手册、应用支持以及正品元器件。

凭借200V的耐压、75A的电流能力以及极低的导通电阻，STP75NF20非常适用于对效率和功率密度有较高要求的工业与汽车应用场景。其主要应用领域包括开关模式电源(SMPS)的初级侧或同步整流、电机驱动与控制系统（如直流电机、无刷直流电机的H桥驱动）、不间断电源(UPS)以及电焊机、光伏逆变器等大功率转换设备。在这些应用中，它能够有效降低系统损耗，提升可靠性，是实现高效、紧凑型功率解决方案的关键元器件之一。

• 型号:STP75NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP75NF20的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP75NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心电气参数针对高效功率处理进行了优化。

其关键规格包括200V的漏源电压(Vdss)和高达75A的连续漏极电流(Id)，提供了强大的功率处理能力。最突出的特性是其极低的导通电阻，在10V Vgs、37A Id条件下，Rds(on)最大值仅为34毫欧，这能显著降低传导损耗。同时，84nC的最大栅极电荷(Qg)有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。

这些参数特性使得STP75NF20成为要求高效率和高可靠性的中高功率应用的理想选择，尤其适用于开关电源、电机驱动和各类功率转换系统。