STPSC16H065AW

STPSC16H065AW是意法半导体（STMicroelectronics）基于宽禁带半导体技术推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管。该器件采用先进的SiC材料体系，其核心架构摒弃了传统硅基PN结二极管中固有的少数载流子存储效应，实现了本质上极快的开关特性。这种物理特性上的根本差异，使得它在高电压、高频率的应用环境中展现出卓越的性能优势，成为提升功率转换系统效率和功率密度的关键元件。

该二极管最显著的功能特点是其零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复时间（trr）。由于是多数载流子器件，它在从正向导通切换到反向阻断状态时，没有因少数载流子复合而产生的延迟和能量损耗。这一特性直接转化为更低的开关损耗、更低的电磁干扰（EMI）以及更简化的缓冲电路设计需求。同时，它在高达650V的反向电压下，仍能保持极低的反向漏电流（典型值140A @ 650V），确保了高温工作下的高可靠性。其正向压降（Vf）在16A电流下仅为1.75V，提供了优异的导通性能。

在接口与参数方面，STPSC16H065AW采用工业标准的TO-247-3通孔封装，属于ECOPACK2环保系列，便于工程师在现有设计中进行升级替换。其额定反向电压为650V，能够轻松应对380V三相交流输入经整流后的高压直流母线环境，并提供充足的电压裕量。无恢复时间的特性使其开关速度仅受限于外部驱动电路，非常适合高频开关应用。用户可以通过官方授权的ST代理商获取完整的技术资料、样品及批量供货支持。

该器件的典型应用场景广泛覆盖了对效率和功率密度有严苛要求的领域。在服务器电源、通信电源、工业电机驱动和不间断电源（UPS）的功率因数校正（PFC）电路中，它能显著降低开关损耗，提升系统效率。在太阳能光伏逆变器和车载充电机（OBC）等新能源领域，其高频特性有助于减小无源元件（如电感和电容）的体积和成本，同时提升整机功率密度与可靠性。此外，它也适用于高频感应加热和焊接电源等特种工业设备。

• 型号:STPSC16H065AW
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):16A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 16 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:140 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:750pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC16H065AW是意法半导体推出的一款650V碳化硅肖特基二极管，采用TO-247封装。其核心优势在于基于宽禁带半导体材料，实现了本质上的快速开关特性。

该器件在16A电流下的典型正向压降为1.75V，并在650V额定电压下保持极低的反向漏电流。最关键的技术卖点是其零反向恢复时间（0ns），这彻底消除了传统硅快恢复二极管在开关过程中产生的尾电流和相关的开关损耗与噪声，为高频、高效功率转换设计提供了理想解决方案。