STB21NM60ND

STB21NM60ND是ST意法半导体基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心架构通过精细的单元几何形状和创新的电荷平衡技术，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时确保了栅极电荷（Q_g）和输出电容（C_oss）等动态参数维持在较低水平，这对于提升开关电源等应用中的效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业级应用中的高压应力环境。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达17A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅源驱动电压（V_GS）和8.5A漏极电流下，最大值仅为220毫欧，这一低R_{DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热。此外，其栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于减少开关过程中的驱动损耗，简化栅极驱动电路的设计。}

在接口与参数方面，该器件采用标准的10V驱动电压，与多数控制器兼容，栅极电压最大可承受±25V。其输入电容（C_iss）在50V漏源电压下最大值为1800pF。封装形式为坚固耐用的表面贴装型D2PAK（TO-263），这种封装具有良好的热性能，其最大功率耗散为140W（T_C），结合高达150°C的最大结温（T_J），为系统提供了宽裕的热设计余量。客户可以通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持和供货信息。

得益于其高耐压、低导通电阻和高效率的特性，STB21NM60ND非常适用于要求严苛的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、工业电机驱动与控制的逆变器模块、以及不间断电源（UPS）和电焊机等高性能设备中的功率开关部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的FDmesh II技术优势，仍在相关领域具有重要的参考价值。

• 型号:STB21NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB21NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和17A的连续漏极电流（I_D），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V V_GS下导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为220毫欧，配合较低的栅极电荷（Q_g），能有效降低导通与开关损耗，提升系统整体能效。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业功率转换等领域的理想选择。