STFW3N170

作为意法半导体PowerMESH系列中的一员，STFW3N170是一款采用N沟道MOSFET技术的高压功率器件，其核心架构基于先进的平面工艺和优化的单元设计。该设计旨在实现高阻断电压与低导通电阻之间的出色平衡，其1700V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对严苛的高压环境，而13欧姆（最大值）的导通电阻（Rds(on)）则在1.3A电流和10V栅极驱动下有效降低了导通损耗，提升了整体能效。

该器件在功能上展现出显著的优势。其极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为44nC，配合10V的标准驱动电压，意味着开关过程中的驱动损耗更低，开关速度更快，这对于高频开关应用至关重要。同时，高达63W（Tc）的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了其在恶劣温度条件下的可靠性与长期稳定性。其采用ISOWATT-218FX通孔封装，这种封装形式提供了优异的电气隔离和散热性能，便于在功率板上进行稳固安装。

在接口与关键参数方面，STFW3N170的规格定义清晰。其连续漏极电流（Id）在壳温25°C下为2.6A，栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了充足的驱动安全裕量。输入电容（Ciss）在100V Vds下最大值为1100pF，与低栅极电荷特性共同优化了开关动态性能。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品，确保原装正品和完整的应用支持。

基于其高压、低损耗和坚固耐用的特性，这款MOSFET非常适合于要求严苛的工业与能源领域应用。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和高压DC-DC转换级、工业电机驱动的辅助电源或缓冲电路，以及太阳能逆变器、UPS（不间断电源）中的高压开关部分。在这些场景中，它能够有效提升系统效率，增强功率密度，并保证在高压应力下的长期运行可靠性。

• 型号:STFW3N170
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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STFW3N170是意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件设计用于处理高达1700V的漏源电压（Vdss），并在10V栅极驱动下提供2.6A的连续漏极电流（Tc），其最大导通电阻（Rds(on)）在1.3A条件下仅为13欧姆，实现了高压与低导通损耗的良好结合。

其关键特性包括极低的栅极电荷（Qg，最大值44nC @ 10V），这有助于实现快速开关并降低驱动损耗，以及高达63W（Tc）的功率耗散能力。器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用环境下的高可靠性和热稳定性。