STG3P2M10N60B

STG3P2M10N60B是ST意法半导体推出的一款采用SEMITOP2封装的三相逆变器IGBT模块。该模块集成了三个IGBT及其对应的续流二极管，构成一个紧凑、集成的三相逆变桥臂，旨在为中小功率电机驱动和功率转换应用提供高集成度的解决方案。其底座安装方式结合了良好的热传导性能和机械强度，便于系统散热设计。

该模块的核心优势在于其平衡的性能参数与紧凑的封装。600V的集射极击穿电压使其适用于通用工业三相交流电环境下的应用。19A的最大集电极电流与56W的最大功耗定义了其适用的功率等级范围。在导通特性方面，其在15V栅极电压、7A集电极电流条件下的典型Vce(on)仅为2.5V，这有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。同时，集电极截止电流低至10A，确保了关断状态下的低泄漏特性。

在动态与热性能方面，该模块在25V Vce条件下的输入电容(Cies)为0.72nF，这一参数影响着开关速度与驱动电路的设计。模块内部未集成NTC热敏电阻，因此系统需要外部方案进行温度监控。其结温工作范围宽达-40°C至150°C，能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供货与技术支持的客户，可以咨询专业的ST一级代理以获取更详细的产品生命周期信息与替代方案建议。

基于其三相反相器配置与600V/19A的额定值，STG3P2M10N60B主要面向中小功率的电机驱动领域，例如工业风扇、泵类、压缩机以及通用变频器的功率模块。其集成化设计简化了PCB布局，减少了外部连线，有助于提高系统可靠性并缩小整体体积，是构建紧凑型、高性价比三相驱动系统的关键功率部件。

• 型号:STG3P2M10N60B
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SEMITOP2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:19 A
• 功率 - 最大值:56 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:10 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):720 pF @ 25 V
• 输入:单相桥式整流器
• NTC 热敏电阻:无
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:SEMITOP2
• 供应商器件封装:SEMITOP2
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STG3P2M10N60B是ST意法半导体的一款三相逆变器IGBT模块，采用SEMITOP2封装。该模块集成了完整的逆变桥臂，额定电压600V，最大集电极电流19A，最大功耗56W，专为简化中小功率电机驱动设计而优化。

其核心电气特性包括在7A电流下典型的2.5V低导通压降(Vce(on))，有助于降低开关损耗。模块工作结温范围宽(-40°C ~ 150°C)，适应工业环境要求。紧凑的集成化设计减少了外部元件数量，提升了系统功率密度与可靠性，适用于变频器、泵、风机等驱动应用。