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STGAP1AS

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隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO
原厂封装:封装:24-SO
优势价格,STGAP1AS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGAP1AS的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STGAP1AS是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款单通道、电隔离栅极驱动器,采用紧凑的24-SOIC封装。该器件基于先进的磁耦合隔离技术构建,能够在输入侧逻辑电路与输出侧高压功率级之间建立高达2500Vrms的可靠电气隔离屏障。这种架构确保了控制信号的纯净传输,有效抑制了功率侧开关动作产生的高压噪声和地电位差对敏感控制电路的干扰,为系统提供了至关重要的安全与可靠性保障。

在功能实现上,该驱动器具备优异的动态性能。其典型上升和下降时间仅为25纳秒,最大传播延迟为130纳秒,同时脉宽失真被严格控制在10纳秒以内。这些特性使得开关信号的传输极为精准,能够支持高频开关应用,并最大限度地降低死区时间,提升逆变器等拓扑的效率。其输出级采用强大的推挽结构,可提供高达2.5A的拉电流和灌电流能力,足以快速驱动中大功率的IGBT、SiC MOSFET或GaN HEMT等开关器件,有效减少开关损耗并抑制由米勒效应引起的误导通风险。

接口与参数设计充分考虑了工业与汽车应用的严苛需求。器件支持4.5V至36V的宽范围输出侧供电电压,兼容多种功率器件的栅极驱动电平要求。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,符合AEC-Q100汽车级标准,确保了在极端环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取该产品。其表面贴装型封装也便于自动化生产,提升制造效率。

基于其高隔离耐压、快速开关性能与宽温工作范围,STGAP1AS非常适用于对安全性和可靠性要求极高的场景。典型应用包括工业电机驱动、伺服控制系统、光伏逆变器、不间断电源(UPS)以及电动汽车(EV)中的车载充电机(OBC)、DC-DC转换器和主驱动逆变器。在这些应用中,它作为连接数字控制器与功率开关的关键桥梁,是实现高效、紧凑且鲁棒性强的电力电子系统的核心组件之一。

  • 型号:STGAP1AS
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:24-SO
  • 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
  • 描述:DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 技术:磁耦合
  • 通道数:1
  • 电压 - 隔离:2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值):-
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):130ns,130ns
  • 脉宽失真(最大):10ns
  • 上升/下降时间(典型值):25ns,25ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低:2.5A,2.5A
  • 电流 - 峰值输出:-
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):-
  • 电压 -输出供电:4.5V ~ 36V
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:24-SO
  • 认证机构:-
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STGAP1AS是意法半导体推出的一款符合AEC-Q100标准的单通道隔离栅极驱动器。它采用磁耦合技术,提供高达2500Vrms的电气隔离,确保控制侧与高压功率侧之间的安全信号传输。

该器件具备优异的开关性能,其最大传播延迟为130纳秒,典型上升/下降时间为25纳秒,并具备2.5A的峰值输出电流能力,可高效驱动IGBT、SiC MOSFET等功率开关。其输出侧供电电压范围宽达4.5V至36V,工作温度范围为-40°C至125°C,封装为24-SOIC,适用于要求高可靠性的汽车与工业电力电子应用。

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