STGAP2HSCMTR

STGAP2HSCMTR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用容性耦合技术的单通道隔离式栅极驱动器。该器件内部集成了两个通过高介电强度隔离栅完全隔离的域，分别对应输入侧逻辑接口与输出侧驱动级，实现了高达5000Vrms的电气隔离。这种架构确保了在高压侧与低压侧之间进行可靠信号传输的同时，有效阻断危险的直流电流与不期望的瞬态电压，为核心功率开关提供安全、精准的控制。

该驱动器具备卓越的瞬态抗干扰能力，其共模瞬态抗扰度（CMTI）最小值达到100V/ns，这使其在开关电源、电机驱动等存在剧烈电压摆动的噪声环境中，能够保持信号完整性，避免因共模噪声导致的误触发。高达4A的峰值拉电流和灌电流输出能力，使其能够快速地对功率MOSFET或IGBT的栅极电容进行充放电，显著缩短开关时间，从而降低开关损耗并提升系统效率。其传播延迟典型值低至90ns，且最大脉宽失真被控制在20ns以内，这为需要精确时序控制和高频开关的应用提供了关键保障。

在接口与参数方面，STGAP2HSCMTR的输出侧供电电压范围宽达3V至5.5V，兼容多种栅极驱动电压需求。其上升与下降时间典型值均为30ns，确保了干净、陡峭的驱动波形。器件采用紧凑的8引脚SOIC封装，工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C，满足严苛环境下的可靠性要求。用户可通过官方ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

基于其高性能与高可靠性，该器件非常适合应用于工业自动化、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及电动汽车车载充电机等场景。在这些应用中，它能够安全、高效地驱动高压半桥或全桥拓扑中的功率开关，是实现系统高功率密度、高能效与强鲁棒性的关键组件之一。

• 型号:STGAP2HSCMTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
• 描述:DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:容性耦合
• 通道数:1
• 电压 - 隔离:5000Vrms
• 共模瞬变抗扰度（最小值）:100V/ns
• 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:90ns，90ns
• 脉宽失真（最大）:20ns
• 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns
• 电流 - 输出高、低:4A，4A
• 电流 - 峰值输出:4A
• 电压 - 正向 (Vf)（典型值）:-
• 电流 - DC 正向 (If)（最大值）:-
• 电压 -输出供电:3V ~ 5.5V
• 等级:-
• 资质:-
• 工作温度:-40°C ~ 125°C
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• 认证机构:UL
• 想获取STGAP2HSCMTR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGAP2HSCMTR是ST意法半导体推出的一款单通道隔离式栅极驱动器，采用容性耦合技术实现高达5000Vrms的电气隔离。其核心优势在于结合了高驱动能力与优异的抗干扰特性，提供4A的峰值输出电流以实现快速开关，同时具备最低100V/ns的共模瞬态抗扰度，确保在恶劣的电力电子环境中稳定工作。

该器件具备快速的动态响应，传播延迟最大值为90ns，脉宽失真最大为20ns，有助于提升系统效率与开关频率。其输出侧供电电压范围为3V至5.5V，工作温度范围为-40°C至125°C，并采用8-SOIC表面贴装封装，为工业电机驱动、电源转换等高要求应用提供了紧凑且可靠的解决方案。