STGB10NB37LZT4

STGB10NB37LZT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款表面贴装型IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。该器件采用TO-263-3（DPak）封装，集成了优化的单元结构和沟槽栅极场终止技术，旨在实现高功率密度与高效率的平衡。其核心架构通过精细的载流子寿命控制和电场分布优化，有效降低了饱和压降（Vce(on)）和开关损耗，为紧凑型电源和电机驱动设计提供了坚实的物理基础。

在功能表现上，该器件展现出优异的电气特性。其集电极-发射极击穿电压高达440V，最大连续集电极电流为20A，脉冲电流能力可达40A，确保了在动态负载下的稳定工作裕量。在4.5V栅极驱动电压、10A集电极电流条件下，其最大饱和压降仅为1.8V，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其开关性能经过精心调校，开关能量分别为2.4mJ（开启）和5mJ（关断），配合28nC的低栅极电荷，使得开关过程快速且易于驱动，有助于提升开关频率并降低驱动电路的设计复杂度。

从接口与参数来看，STGB10NB37LZT4采用标准电平输入，兼容常见的栅极驱动IC。其典型开关延迟时间在特定测试条件下（328V，10A，1kΩ栅极电阻，5V驱动）分别为1.3s（开启）和8s（关断）。器件最大功耗为125W，结温工作范围宽达-65°C至175°C，结合DPak封装优异的散热能力，使其能够适应严苛的热环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

该IGBT主要面向中低功率、高可靠性的应用场景。其440V的耐压和20A的电流能力，使其非常适用于三相电机驱动、变频器、不间断电源（UPS）以及焊接设备中的功率开关模块。表面贴装封装也使其成为自动化生产的高密度功率板卡的理想选择，在工业自动化、家电和新能源等领域具有广泛的应用潜力。

• 型号:STGB10NB37LZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 440V 20A 125W D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:440 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.8V @ 4.5V，10A
• 功率 - 最大值:125 W
• 开关能量:2.4mJ（导通），5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:28 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:1.3s/8s
• 测试条件:328V，10A，1 千欧，5V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 想获取STGB10NB37LZT4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGB10NB37LZT4是意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的表面贴装IGBT，封装为TO-263-3 (DPak)。该器件核心参数包括440V的集射极击穿电压、20A的连续集电极电流以及125W的最大功耗，为中等功率应用提供了坚实的电压和电流处理能力。

其关键电气特性表现为优异的导通与开关效率。在10A电流、4.5V栅极电压下，饱和压降最大值为1.8V，有助于降低导通损耗。同时，其开关能量（开2.4mJ，关5mJ）与低栅极电荷（28nC）相结合，确保了快速、高效的开关性能，有利于提升系统整体能效和开关频率。宽结温工作范围（-65°C ~ 175°C）进一步保障了其在复杂热环境下的可靠性。