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TPDV640RG的图片

TPDV640RG

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 40A TOP3
原厂封装:封装:TOP3
优势价格,TPDV640RG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TPDV640RG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TPDV640RG是ST意法半导体推出的一款高性能三端双向可控硅(TRIAC)器件,采用经典的TOP-3通孔封装。该器件属于ALTERNISTOR系列,设计用于在交流电路中实现高效、可靠的功率控制和开关功能。其核心架构基于成熟的平面钝化技术,确保了在高压、大电流工作条件下的稳定性和长寿命。内部采用优化的半导体结构,实现了低导通损耗和优异的动态特性,使其在苛刻的工业环境中也能保持稳定的性能表现。

该器件的一个显著特点是其600V的断态重复峰值电压(VDRM40A的均方根通态电流(IT(RMS)额定值,这为处理市电级别的交流电压和较大负载电流提供了充足的裕量。作为一款无缓冲器(Snubberless)型双向可控硅,它内部集成了先进的动态电压上升率(dv/dt)和电流上升率(di/dt)保护功能,能够有效抑制因感性或容性负载切换产生的电压尖峰和电流浪涌,从而在许多应用中无需外部缓冲电路,简化了系统设计并降低了整体成本。其栅极触发特性也较为宽松,最大栅极触发电压(VGT)仅为1.5V,最大栅极触发电流(IGT)为200mA,便于与微控制器或逻辑电路直接接口驱动。

在电气参数方面,TPDV640RG展现了强大的鲁棒性。其非重复浪涌电流(ITSM)在50Hz和60Hz工频下分别高达350A和370A,能够承受短时间的严重过载。保持电流(IH)最大值为50mA,有助于在轻负载下维持稳定导通。器件的工作结温范围宽达-40°C至125°C,适应严苛的温度环境。标准的TOP-3封装提供了良好的机械强度和散热能力,通过ST授权代理可以获得完整的技术支持和供应链保障。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态,在为新设计选型时需考虑替代方案或库存情况。

凭借其高电压、大电流的处理能力和内置的保护特性,TPDV640RG非常适合于工业级交流功率控制领域。典型应用包括大功率交流电机调速、固态继电器(SSR)、工业加热器控制、照明调光系统以及大电流交流电源开关等。在这些场景中,它能够实现对交流电的相位控制或过零开关,提供平滑、高效且可靠的功率管理解决方案。

  • 型号:TPDV640RG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TOP3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 40A TOP3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:600 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):40 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):350A,370A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):50 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TOP-3
  • 供应商器件封装:TOP3
  • 想获取TPDV640RG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TPDV640RG是ST意法半导体生产的一款大功率三端双向可控硅(TRIAC),采用TOP-3通孔封装。该器件设计用于高要求的交流开关与控制应用,其核心额定参数为600V断态电压与40A通态电流,提供了处理市电及驱动大功率负载的坚实基础。

作为ALTERNISTOR系列中的无缓冲器(Snubberless)型号,它集成了增强的动态特性,能够有效应对感性负载切换时产生的电压电流应力,从而简化外围电路设计。其宽松的栅极触发条件(VGT最大1.5V, IGT最大200mA)便于驱动,而高达350A/370A的浪涌电流承受能力和-40°C至125°C的宽工作结温范围,则确保了其在工业环境下的高可靠性与鲁棒性。

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