STGB5H60DF

STGB5H60DF是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用表面贴装DPak（TO-263AB）封装的高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件基于先进的沟槽栅极和场截止技术平台构建，这一架构通过在集电极侧引入一个N型场截止层，有效优化了漂移区的电场分布，从而在保持高击穿电压的同时，显著降低了器件的饱和压降（Vce(sat)）和整体导通损耗。其沟槽栅设计进一步提升了单元密度，增强了电流处理能力，并优化了栅极控制特性。

得益于其核心架构，该IGBT展现出优异的电气性能。其集电极-发射极击穿电压高达600V，额定集电极电流为10A，脉冲电流能力可达20A，使其能够从容应对工业应用中的浪涌电流。在典型工作条件下（Vge=15V， Ic=5A），其最大饱和压降仅为1.95V，这意味着在导通状态下的功耗极低。同时，其开关性能经过精心优化，开启延迟时间（Td(on)）与关断延迟时间（Td(off)）分别为30ns和140ns（测试条件：400V， 5A），结合较低的栅极电荷（43nC）和开关能量（开启56J， 关断78.5J），共同确保了高频开关下的高效率与低损耗。其反向恢复时间（trr）为134.5ns，有助于降低续流二极管关断时的反向恢复损耗，提升系统可靠性。

该器件设计为标准输入类型，与常见的15V栅极驱动电压兼容，便于集成到现有的驱动电路中。其坚固的DPak表面贴装封装不仅提供了优异的散热性能，最大功耗可达88W，而且节省了PCB空间，适合自动化贴装生产。宽广的结温工作范围（-55°C 至 175°C）确保了其在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细资料、样品及采购服务。

综合其高电压、中电流、低导通与开关损耗以及坚固的封装特性，STGB5H60DF非常适用于要求高功率密度和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和直流-直流转换器、电机驱动与变频器（尤其适用于家用电器和工业风扇、泵类驱动）、不同断电源（UPS）以及电焊机等设备。在这些场景中，它能够有效提升系统整体能效，减小散热器尺寸，最终实现设备的小型化与高性能化。

• 型号:STGB5H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A
• 功率 - 最大值:88 W
• 开关能量:56J（导通），78.5J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:43 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns
• 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):134.5 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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STGB5H60DF是ST意法半导体生产的一款采用沟槽型场截止技术的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-263AB（DPak）表面贴装封装。该器件核心优势在于其600V的集射极击穿电压和10A的额定集电极电流，结合低至1.95V @ 5A的饱和压降，实现了优异的导通性能与功耗控制。

其开关特性经过优化，具备快速的开关速度（开/关延迟典型值30ns/140ns）与较低的栅极电荷（43nC），有助于在高频应用中降低开关损耗。88W的最大功耗能力与-55°C至175°C的宽结温范围，确保了其在严苛环境下的高可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和UPS等中功率能量转换应用的理想选择。