STD65N3LLH5

STD65N3LLH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的DPAK（TO-252）表面贴装封装，专为在紧凑空间内实现高效率、高电流处理能力而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过精密的沟槽工艺技术，在30V的漏源电压（V_DSS）额定值下，实现了极低的功率损耗。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的导通性能与开关效率。在10V栅极驱动电压（V_GS）下，其最大导通电阻低至6.9毫欧（在32.5A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为8nC（@4.5V），结合适中的输入电容（C_iss），确保了快速、干净的开关切换，减少了开关损耗，特别适合高频应用。其驱动电压范围宽泛，标准逻辑电平（4.5V）即可实现高效驱动，而最大V_GS可承受±22V，提供了良好的鲁棒性。

在电气参数方面，STD65N3LLH5在壳温（T_C）条件下支持高达65A的连续漏极电流，最大功率耗散为50W。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为3V，提供了明确的导通与关断界限。器件的工作结温范围极宽，从-55°C延伸至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。作为一款已进入停产状态的器件，其库存与供货可通过授权的ST代理渠道进行查询与获取，适用于现有设计的维护或特定批量的生产。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速的开关特性，这款MOSFET非常适合用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括低压大电流DC-DC转换器（如同步整流、负载点转换）、电机驱动控制（如电动工具、风扇）、电池保护电路以及电源管理单元中的功率开关部分。其DPAK封装兼顾了功率耗散与PCB空间占用，是空间受限但性能要求高的现代电子设备的理想选择。

• 型号:STD65N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 65A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.9 毫欧 @ 32.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取STD65N3LLH5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STD65N3LLH5是STMicroelectronics推出的一款采用STripFET V技术的N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（R_DS(on)），在10V V_GS下最大值仅为6.9mΩ，配合高达65A（T_C）的连续漏极电流能力，能够显著降低系统传导损耗，提升能效。

该器件具备优异的开关性能，栅极电荷（Q_g）低至8nC，支持快速开关切换，适用于高频操作场景。其工作电压为30V，驱动灵活，标准逻辑电平即可有效驱动。宽广的工作结温范围（-55°C 至 175°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性，主要面向高效率DC-DC转换、电机驱动及电源管理等应用领域。