STGB6NC60HT4

意法半导体推出的STGB6NC60HT4是一款采用表面贴装DPAK封装的功率开关器件。该器件隶属于ST先进的PowerMESH产品系列，这一架构通过优化的单元设计和制造工艺，在单芯片上实现了低导通损耗与快速开关特性的良好平衡。其核心是一个N沟道绝缘栅双极型晶体管（IGBT），结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降优势，特别适合在中等频率下处理较高的功率等级。

该器件具备600V的集电极-发射极击穿电压和15A的连续集电极电流能力，脉冲电流（Icm）可达21A，为负载波动提供了充足的裕量。其关键性能参数表现突出，在典型工作条件下（Vge=15V， Ic=3A），饱和压降Vce(on)最大值仅为2.5V，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统能效。同时，其开关性能经过优化，总栅极电荷（Qg）为13.6nC，有助于降低驱动电路的损耗；在390V， 3A的测试条件下，其开启延迟时间（Td(on)）为12ns，关断延迟时间（Td(off)）为76ns，配合20J（开启）和68J（关断）的开关能量值，确保了在数十kHz开关频率应用中的高效与可靠运行。

在接口与热管理方面，STGB6NC60HT4采用标准的TO-263-3（DPAK）封装，该封装具有优异的散热能力，通过底部的金属裸露焊盘可直接焊接在PCB的铜箔上进行散热，最大功耗为56W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，增强了其在恶劣环境下的适应性。该器件采用标准电平驱动，简化了外围栅极驱动电路的设计。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方的ST授权代理渠道获取产品、资料与相关服务。

基于其电压、电流及开关特性，这款IGBT非常适合应用于要求高效率和高功率密度的离线式开关电源、不同断电源（UPS）、电机驱动变频器以及电焊机等工业功率转换领域。其表面贴装形式也有利于实现紧凑的PCB布局，满足现代电子设备对小型化的需求。

• 型号:STGB6NC60HT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):21 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，3A
• 功率 - 最大值:56 W
• 开关能量:20J（导通），68J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:13.6 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/76ns
• 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
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STGB6NC60HT4是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款600V、15A绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-263-3（DPAK）表面贴装封装。该器件在15V栅极驱动、3A集电极电流条件下的典型饱和压降（Vce(on)）最大值为2.5V，实现了低导通损耗，同时其13.6nC的低栅极电荷和优化的开关时序（Td(on/off)分别为12ns/76ns）确保了高效的开关性能。

其最大功耗为56W，宽工作结温范围（-55°C至150°C）提供了强大的过载能力和环境适应性。这些特性使其成为工业级开关电源、电机驱动和功率转换系统中追求高可靠性与高功率密度的理想功率开关解决方案。