STGD10NC60ST4

STGD10NC60ST4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用先进的沟槽栅场截止型设计，在单一芯片上集成了MOSFET的快速开关特性和双极型晶体管的高电流密度、低导通压降优势，实现了性能与效率的优化平衡。其内部结构经过精心优化，旨在降低饱和压降（Vce(sat)）和开关损耗，这对于提升中低功率开关电源和电机驱动系统的整体能效至关重要。

该IGBT具备多项突出的电气特性。其集电极-发射极击穿电压高达600V，能够可靠地工作在工业级AC输入整流后的高压母线环境下。在15V栅极驱动电压、5A集电极电流的典型工作条件下，其最大饱和压降仅为1.65V，这意味着在导通状态下的通态损耗极低。同时，其开关性能表现均衡，开启延迟时间（Td(on)）为19ns，关断延迟时间（Td(off)）为160ns，配合18nC的低栅极电荷，使得它能够以较高的频率工作，同时保持对驱动电路的要求相对友好，易于设计。其开关能量参数，开启为60J，关断为340J，为系统级的损耗分析与热设计提供了明确依据。

在封装与接口方面，STGD10NC60ST4采用了行业标准的TO-252-3（DPAK）表面贴装封装。这种封装形式在提供良好散热能力（通过背部金属接片）的同时，极大节省了PCB空间，非常适合高密度板卡设计。其最大连续集电极电流（Ic）额定值为18A，脉冲电流（Icm）可达25A，最大功耗为60W，结合其宽泛的结温工作范围（-55°C 至 150°C），确保了器件在苛刻环境下的鲁棒性和长期可靠性。用户可以通过授权的ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

得益于其600V/18A的耐压与电流能力、低Vce(sat)与快速开关的平衡特性以及紧凑的SMD封装，这款器件主要面向空间和效率均有要求的应用场景。它非常适用于开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、逆变器及不间断电源（UPS）的功率级，同时也是驱动小型至中型交流感应电机、无刷直流（BLDC）电机的理想选择，常见于家用电器、工业自动化控制模块以及辅助电源等领域。

• 型号:STGD10NC60ST4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:18 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A
• 功率 - 最大值:60 W
• 开关能量:60J（导通），340J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:18 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns
• 测试条件:390V，5A，10欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
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STGD10NC60ST4是意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的600V、18A N沟道IGBT，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通与开关损耗平衡，在15V栅压、5A电流下最大饱和压降仅1.65V，同时具备19ns/160ns的快速开关特性及18nC的低栅极电荷，有助于提升系统能效与工作频率。

该器件设计稳健，集电极脉冲电流能力达25A，最大功耗60W，并支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保在严苛环境下的可靠性。这些特性使其成为中低功率开关电源、电机驱动及UPS等应用的高效、紧凑型功率开关解决方案。