STGD18N40LZT4

意法半导体推出的STGD18N40LZT4是一款采用表面贴装DPAK（TO-252）封装的高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive PowerMESH系列，专为满足汽车电子及工业应用中对高可靠性、高效率功率开关的严苛要求而设计。其核心架构融合了先进的沟槽栅场截止技术，在实现低饱和压降的同时，优化了开关特性与功率密度，为系统设计提供了紧凑且高效的解决方案。

该器件具备多项突出的功能特性。其集电极-发射极击穿电压高达420V，最大连续集电极电流为25A，脉冲电流能力可达40A，确保了在动态负载下的稳定工作能力。在4.5V栅极驱动电压、10A集电极电流的典型条件下，其饱和压降Vce(on)典型值仅为1.7V，这直接带来了更低的导通损耗和更高的整体能效。逻辑电平输入特性使其能够与常见的微控制器或驱动IC直接接口，简化了驱动电路设计。此外，其栅极电荷仅为29nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能。

在电气参数方面，STGD18N40LZT4在300V、10A、5V栅极驱动的测试条件下，展现了优异的开关性能。其开通延迟时间为650纳秒，关断延迟时间为13.5微秒，平衡了开关速度与电磁干扰（EMI）控制的需求。器件的最大功耗为125W，结合其宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C），使其能够适应高温、高振动等恶劣环境。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方ST授权代理进行采购，以确保产品正宗与供货稳定。

凭借其高电压、大电流、低损耗以及通过车规认证的可靠性，STGD18N40LZT4非常适用于要求严苛的汽车应用，如电子助力转向（EPS）、燃油泵控制、发动机管理系统的点火线圈驱动等。同时，在工业领域，它也是电机驱动、不间断电源（UPS）、电焊机和功率因数校正（PFC）电路等中功率开关应用的理想选择。其表面贴装DPAK封装便于自动化生产，有助于降低系统组装成本并提高生产一致性。

• 型号:STGD18N40LZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 420V 25A 125W DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:420 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A
• 功率 - 最大值:125 W
• 开关能量:-
• 输入类型:逻辑
• 栅极电荷:29 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5s
• 测试条件:300V，10A，5V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
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STGD18N40LZT4是ST意法半导体推出的一款车规级（AEC-Q101）绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用DPAK表面贴装封装。该器件隶属于Automotive PowerMESH系列，核心优势在于其420V的集射极击穿电压和25A的最大连续集电极电流，结合逻辑电平输入，为汽车和工业功率控制提供了高可靠性的开关解决方案。

其技术亮点包括在10A电流下仅1.7V的低饱和压降（Vce(on)），这显著降低了导通损耗。同时，29nC的低栅极电荷有助于实现高效的开关操作。器件支持高达175°C的结温工作，最大功耗125W，确保了在恶劣环境下的稳定性和耐久性，非常适合用于电机驱动、电源转换等对效率和鲁棒性要求较高的应用场景。