STGD3NB60HDT4

STGD3NB60HDT4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用标准输入类型设计，集成了先进的沟槽栅场截止技术，在紧凑的DPAK（TO-252）表面贴装封装内实现了功率密度与开关效率的平衡。其核心架构优化了载流子注入与传导机制，使得在导通状态下的饱和压降（Vce(sat)）得到有效控制，从而降低了通态损耗。

该器件具备600V的集电极-发射极击穿电压和10A的连续集电极电流能力，脉冲电流（Icm）可达24A，为应对负载瞬变提供了充足的裕量。其导通特性表现为，在典型驱动条件（Vge=15V, Ic=3A）下，最大饱和压降仅为2.8V，这直接转化为更低的导通功耗和更高的系统能效。开关性能方面，其开关能量（Eoff）为33J，结合21nC的低栅极电荷，有助于实现快速开关并降低驱动电路的负担，开关延迟时间（Td(on/off)）分别为5ns和53ns，反向恢复时间（trr）为95ns，这些参数共同确保了其在中等频率开关应用中的稳定性和可靠性。

在接口与热管理方面，STGD3NB60HDT4采用标准的DPAK三引脚（2引线+接片）表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其最大功耗为50W，结合封装底部的金属接片，为热量向PCB铜箔的耗散提供了高效路径。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关技术资料与采购支持。

得益于其平衡的电压/电流规格、良好的开关特性以及紧凑的封装，STGD3NB60HDT4非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、电机驱动与控制的逆变器模块、不间断电源（UPS）以及电焊机等工业设备中的功率开关部分。其设计旨在为工程师提供一个在性能、尺寸与成本之间取得优化的解决方案。

• 型号:STGD3NB60HDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 10A 50W DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，3A
• 功率 - 最大值:50 W
• 开关能量:33J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:21 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:5ns/53ns
• 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):95 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 想获取STGD3NB60HDT4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGD3NB60HDT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的N沟道IGBT，封装于DPAK（TO-252）表面贴装外形中。该器件核心参数包括600V的集射极击穿电压和10A的连续集电极电流，最大功耗为50W。

其关键电气特性在于优异的导通与开关性能：在15V栅极驱动、3A集电极电流条件下，最大饱和压降（Vce(on)）仅为2.8V，有助于降低导通损耗；同时，其栅极电荷低至21nC，关断开关能量为33J，确保了快速、高效的开关动作。这些特性使其成为中等功率、中等频率开关应用的理想选择。