STGP5H60DF

STGP5H60DF是ST意法半导体推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用先进的沟槽栅场截止（Trench Gate Field-Stop）技术制造。该器件在单芯片上集成了快速恢复二极管，构成一个高效、紧凑的功率开关解决方案。其核心架构通过优化的沟槽栅设计，显著增强了载流子注入效率，降低了饱和压降；同时，场截止层的引入有效减薄了漂移区厚度，在维持高击穿电压（600V）的前提下，大幅降低了导通损耗和开关损耗，实现了导通特性与开关速度的优异平衡。

该器件具备多项突出的功能特性。其集电极-发射极饱和压降Vce(on)典型值仅为1.95V（在15V栅极驱动电压、5A集电极电流条件下），这意味着在导通状态下产生的功耗极低，有助于提升系统整体能效。开关性能方面，其开关能量数值优异（开通能量56J，关断能量78.5J），配合快速的开关时间（开通延迟30ns，关断延迟140ns），使其非常适用于高频开关应用，能够有效减小磁性元件的体积和系统尺寸。内置的快速恢复二极管反向恢复时间（trr）仅为134.5ns，显著降低了续流过程中的反向恢复损耗和电磁干扰风险。

在电气参数与接口方面，STGP5H60DF的集电极额定电流为10A，脉冲电流能力可达20A，最大功耗为88W。其采用标准电平驱动，栅极电荷（Qg）为43nC，对驱动电路的要求较为友好，有助于简化设计。器件采用经典的TO-220-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于安装到散热器上。其结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。如需获取官方技术支持和正品货源，建议通过ST授权代理进行采购。

凭借其高电压、高效率和高频率的综合优势，STGP5H60DF非常适合应用于各类中功率的开关电源和能量转换系统。典型应用场景包括工业电机驱动、变频器、不同断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电焊机等设备中的功率变换级。其优异的性能使其成为追求高功率密度、高可靠性和高能效的现代电力电子设计的理想选择。

• 型号:STGP5H60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A
• 功率 - 最大值:88 W
• 开关能量:56J（导通），78.5J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:43 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns
• 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):134.5 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• 想获取STGP5H60DF的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGP5H60DF是ST意法半导体生产的一款沟槽栅场截止型IGBT，集成了快速恢复二极管。该器件额定电压为600V，连续集电极电流达10A，具备20A的脉冲电流能力，适用于中功率应用场景。

其核心技术优势在于优异的导通与开关特性平衡。在15V栅压、5A电流下，饱和压降最大值仅为1.95V，有效降低了导通损耗。同时，其开关能量低（开通56J，关断78.5J），开关速度快，支持高频操作。器件采用TO-220-3封装，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了设计的灵活性与可靠性。