STGW38IH130D

STGW38IH130D是ST意法半导体基于其成熟的PowerMESH技术平台开发的一款高压绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的良好平衡。其核心在于通过精细的元胞设计和先进的沟槽栅工艺，有效降低了饱和压降（Vce(sat)），同时保持了稳健的短路耐受能力和快速的开关特性，这对于提升系统效率与可靠性至关重要。

该IGBT具备1300V的集射极击穿电压和63A的连续集电极电流能力，脉冲电流（Icm）可达125A，使其能够从容应对工业应用中的电压尖峰和瞬时过载。其导通压降典型值较低，在15V栅极驱动电压、20A集电极电流条件下，Vce(on)最大值仅为2.8V，这直接转化为更低的导通损耗和更优的热管理表现。开关性能方面，其关断能量（Eoff）为3.4mJ，配合标准电平输入，为设计者提供了稳定且易于驱动的接口，有助于简化栅极驱动电路的设计。对于需要可靠供应链支持的批量项目，通过授权的ST一级代理进行采购是确保元器件正品与供货稳定的有效途径。

在电气参数上，250W的最大功耗和高达150°C的结温（TJ）工作范围，赋予了该器件强大的功率处理能力和宽泛的环境适应性。其采用经典的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热安装方案，便于在功率板上实现可靠的机械固定与热传导。这些特性共同构成了其在严苛工况下稳定运行的基础。

综合其高耐压、中等电流等级以及稳健的封装特性，STGW38IH130D非常适用于对电压等级和可靠性有较高要求的工业功率转换领域。典型应用包括但不限于三相电机驱动、不同断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业焊接设备的中高功率模块。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定长期供货的设计中，它依然是一个经过市场验证的关键功率开关选择。

• 型号:STGW38IH130D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 1300V 63A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1300 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:63 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):125 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:250 W
• 开关能量:3.4mJ（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:127 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/284ns
• 测试条件:960V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
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STGW38IH130D是ST意法半导体推出的一款高压大电流IGBT，隶属于PowerMESH产品系列。该器件核心规格为1300V击穿电压与63A连续电流，最大功耗250W，设计用于处理高功率负载。

其技术亮点在于较低的导通压降（2.8V @ 15V，20A）与3.4mJ的关断开关能量，在保证高耐压可靠性的同时，有助于提升系统效率。器件采用TO-247-3通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。