STGW45NC60VD

STGW45NC60VD是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的PowerMESH技术平台开发的一款高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用通孔TO-247-3封装，集成了先进的沟槽栅场截止技术，在单芯片上实现了MOSFET的快速开关特性和双极型晶体管低导通压降的优势。其内部结构经过优化，旨在降低饱和压降（Vce(sat)）与开关损耗之间的折衷，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该器件的核心电气特性使其在中等功率应用中表现出色。其集电极-发射极击穿电压高达600V，能够从容应对工业三相电整流后的直流母线电压波动。在15V栅极驱动电压、30A集电极电流的典型工作条件下，其最大导通压降仅为2.4V，这意味着在导通期间产生的功耗极低，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）为126nC，结合标准输入类型，意味着对栅极驱动电路的要求较为友好，简化了驱动设计。

在动态性能方面，STGW45NC60VD展现了良好的开关特性。其开启延迟时间（Td(on)）为33ns，关断延迟时间（Td(off)）为178ns（测试条件：390V，30A）。开关能量分别为333J（开启）和537J（关断），配合45ns的快速反向恢复时间，使得该器件适合工作在数十kHz的开关频率下，能有效降低开关过程中的损耗和电磁干扰。其最大结温（Tj）可达150°C，并拥有90A的连续集电极电流和220A的脉冲电流能力，确保了在苛刻工况下的可靠性与鲁棒性。

凭借600V/90A的额定参数、270W的功率处理能力以及平衡的静态与动态性能，这款器件主要面向工业电机驱动、不同断电源（UPS）、太阳能逆变器和焊接设备等应用场景。在这些领域中，它能够作为核心开关元件，用于构建高效率的桥式拓扑结构。对于需要可靠货源和深度技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询，以获取正品保障和完整的应用解决方案。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计中选择时需考虑替代方案或库存供应。

• 型号:STGW45NC60VD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 90A 270W TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:90 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):220 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:270 W
• 开关能量:333J（导通），537J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:126 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:33ns/178ns
• 测试条件:390V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):45 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
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STGW45NC60VD是ST意法半导体推出的一款采用TO-247封装的600V、90A IGBT，隶属于高性能PowerMESH产品系列。该器件在15V栅极驱动下，30A电流时的典型饱和压降仅为2.4V，实现了低导通损耗，其最大功耗为270W。

在开关特性上，它具备33ns/178ns的开关延迟和较低的开关能量（开启333J，关断537J），支持较高的开关频率运行。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并拥有220A的脉冲电流能力，确保了在电机驱动、电源转换等工业功率应用中的稳定性和鲁棒性。