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STGW45NC60WD

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分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT 600V 90A 285W TO247
原厂封装:封装:TO-247 长引线
优势价格,STGW45NC60WD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGW45NC60WD的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STGW45NC60WD是意法半导体(STMicroelectronics)基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件采用TO-247-3通孔封装,集成了优化的沟槽栅场截止(Field-Stop)结构,旨在实现高功率密度与高效率的平衡。其核心设计聚焦于降低导通与开关损耗,通过精细的单元结构优化,在600V的集射极击穿电压下,能够稳定承载高达90A的连续集电极电流,脉冲电流能力更可达到230A,为应对电机启动等瞬态大电流场景提供了充足的裕量。

在电气性能方面,该器件表现出优异的导通特性,在15V栅极驱动电压、30A集电极电流的典型工作条件下,其饱和压降Vce(on)最大值仅为2.6V,这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。其开关性能同样值得关注,开启延迟时间(Td(on))为33ns,关断延迟时间(Td(off))为168ns,结合302J的开启能量和349J的关断能量,确保了在中等频率开关应用中的快速响应与可控性。此外,126nC的栅极电荷要求简化了驱动电路的设计,而45ns的快速反向恢复时间则有效降低了续流过程中的损耗,提升了系统整体效率。

该IGBT的额定最大功耗为285W,结合其通孔封装带来的优良散热能力,使其能够在-55°C至150°C的宽结温范围内可靠工作。其标准输入类型使其与市面上主流的15V栅极驱动IC具有良好的兼容性,降低了系统设计的复杂度。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以咨询ST中国代理以获取更详细的产品信息与供应链服务。

凭借其稳健的电气参数与封装特性,STGW45NC60WD非常适用于对效率、功率密度和可靠性有较高要求的工业级应用场景。典型应用包括但不限于工业电机驱动、不同断电源(UPS)、电焊机以及光伏逆变器等功率转换系统。在这些应用中,它能够作为核心开关元件,高效地处理数百瓦级别的功率,是实现紧凑、高效功率模块或板级设计的可靠选择。

  • 型号:STGW45NC60WD
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247 长引线
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 90A 285W TO247
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):90 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):230 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值:285 W
  • 开关能量:302J(导通),349J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:126 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:33ns/168ns
  • 测试条件:390V,30A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):45 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247 长引线
  • 想获取STGW45NC60WD的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGW45NC60WD是意法半导体推出的一款采用TO-247封装的600V/90A IGBT,隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件在15V栅极驱动下,于30A电流时具有仅2.6V的低饱和压降,显著降低了导通损耗。

其开关特性经过优化,开启与关断延迟时间短,开关能量可控,配合126nC的栅极电荷和45ns的快速反向恢复时间,确保了在中等频率应用中的高效与可靠切换。该器件最大功耗为285W,工作结温范围宽达-55°C至150°C,适用于要求严苛的工业功率环境。

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