STGWA60V60DWFAG

STGWA60V60DWFAG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用先进的沟槽型场截止（Trench Field-Stop）技术架构，这一设计在传统的沟槽栅结构基础上，于漂移区末端引入了场截止层。该层能有效抑制集电极侧的耗尽层扩展，使得芯片在保持高阻断电压能力的同时，能够实现更薄的N-漂移区厚度，从而显著降低通态压降（Vce(sat)）和开关损耗，在效率与功率密度之间取得了优异平衡。

得益于其核心架构，该IGBT展现出卓越的性能特性。其集电极-发射极额定电压高达600V，最大连续集电极电流为80A，脉冲电流能力可达240A，具备强大的过载承受力。在典型工作条件下（Vge=15V， Ic=60A），其最大饱和压降仅为2.3V，这意味着在导通期间产生的传导损耗极低。开关特性方面，其开关能量优化显著，开启能量（Eon）为1.02mJ，关断能量（Eoff）为370μJ，配合标准电平输入驱动，实现了快速且可控的开关行为，典型开关延迟时间分别为35ns（开启）和190ns（关断）。此外，其反向恢复时间（trr）为200ns，栅极电荷（Qg）为314nC，有助于简化栅极驱动设计并降低系统开关损耗。

该器件采用坚固的TO-247-3通孔封装，最大功耗为375W，结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的长期可靠性。其优异的电气参数与热性能，使其特别适用于需要高功率密度和高可靠性的场合。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

在应用层面，STGWA60V60DWFAG主要面向汽车电子和工业控制领域。它是电动汽车车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及电机驱动逆变器等高压功率转换单元的理想选择。其车规级认证（AEC-Q101）和宽广的工作温度范围，直接满足了汽车应用对元器件耐久性和环境适应性的苛刻要求。同时，在工业变频器、不间断电源（UPS）和焊接设备等中高功率系统中，该器件也能有效提升整机效率与功率密度，实现更紧凑的系统设计。

• 型号:STGWA60V60DWFAG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:1.02mJ（导通），370J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:314 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:35ns/190ns
• 测试条件:400V，60A，4.7 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):200 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
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STGWA60V60DWFAG是ST意法半导体推出的车规级（AEC-Q101）单管IGBT，采用沟槽型场截止技术。该器件额定电压为600V，连续电流80A，脉冲电流能力达240A，在60A电流下的典型饱和压降仅为2.3V，实现了低导通损耗与高电流处理能力的结合。

其开关性能经过优化，开关能量较低（Eon 1.02mJ， Eoff 370J），栅极电荷为314nC，有助于提升系统效率并简化驱动设计。封装采用TO-247-3，最大功耗375W，结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在汽车及工业等高要求环境下的可靠运行。