STB36NM60ND

STB36NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精密的单元设计和工艺控制，在硅片层面实现了低比导通电阻（R_DS(on)）与低栅极电荷（Q_G）的出色平衡。这种核心架构旨在显著降低传导损耗和开关损耗，为高效率、高频率的功率转换应用提供了坚实的物理基础。

得益于FDmesh II技术的赋能，该MOSFET展现出卓越的电性能。其漏源击穿电压（V_DSS）高达600V，确保了在工业级和汽车级应用中的高可靠性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为110毫欧（@14.5A），这直接转化为更低的通态压降和功率耗散。同时，其栅极总电荷（Q_G）被控制在80.4nC（@10V）的较低水平，配合±25V的宽栅源电压范围，使得驱动电路设计更为灵活，并能有效提升开关速度，减少开关过程中的能量损失。

在封装与接口方面，该器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度。其在壳温（T_C）条件下的连续漏极电流（I_D）可达29A，最大功耗为190W，结合高达150°C的结温（T_J）工作能力，赋予了其强大的功率处理能力和高温环境下的稳定运行潜力。输入电容（C_iss）等动态参数也经过优化，有助于简化EMI滤波设计。如需获取官方技术支持和正品保障，建议通过ST授权代理进行采购。

综合其技术特性，STB36NM60ND非常适用于对效率和可靠性有严苛要求的场景。它常被用作开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件，特别是在服务器电源、通信电源等中高功率AC-DC转换器中。同时，其符合AEC-Q101标准，属于汽车级产品系列，也使其能够胜任电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及各类工业电机驱动、光伏逆变器等应用，是实现紧凑、高效功率系统设计的理想选择。

• 型号:STB36NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB36NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的FDmesh II技术制造，属于符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列。该器件采用D2PAK封装，具备600V的高漏源击穿电压和29A（T_C）的连续漏极电流能力，为高功率应用提供了坚实的电压和电流裕量。

其核心优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为110毫欧，有效降低了传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_G，最大值80.4nC @10V）有助于实现快速开关，减少开关损耗，提升系统整体效率。这些特性使其非常适用于要求高效率和高可靠性的开关电源、电机驱动及汽车电子等功率转换领域。