STGWA80H65DFB

STGWA80H65DFB是ST意法半导体推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用先进的沟槽型场截止技术，这一架构通过在集电极侧引入场截止层，有效优化了漂移区的电场分布，从而在保持高击穿电压的同时，显著降低了器件的饱和压降和关断损耗。其核心设计旨在实现高功率密度与高效率的平衡，为功率转换系统提供了坚实的半导体基础。

在电气性能方面，该器件展现出卓越的特性。其集电极-发射极击穿电压高达650V，最大集电极电流为120A，脉冲电流能力更可达240A，确保了在严苛工况下的高可靠性。尤为突出的是其低导通压降，在15V栅极驱动电压、80A集电极电流条件下，Vce(on)典型值仅为2V，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其开关性能经过优化，开启延迟时间（Td(on)）为84ns，关断延迟时间（Td(off)）为280ns，结合2.1mJ的开启能量和1.5mJ的关断能量，使其在高频开关应用中具备快速响应和较低的能量损耗。反向恢复时间（trr）为85ns，有助于降低续流二极管或对管开关过程中的电压尖峰和电磁干扰。

该器件采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热管理。其最大功耗为469W，结温工作范围宽达-55°C至175°C，保证了其在工业级温度环境下的稳定运行。标准输入类型和414nC的栅极电荷要求，使其与市面上主流的栅极驱动电路具有良好的兼容性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关的技术资料和采购支持。

基于其650V/80A的额定规格和优异的开关特性，STGWA80H65DFB非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括工业电机驱动、不同断电源（UPS）、太阳能逆变器以及焊接设备等领域的功率转换和开关电路。其设计能够有效提升系统能效，减少散热需求，是构建紧凑、高效功率平台的理想选择。

• 型号:STGWA80H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:414 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 想获取STGWA80H65DFB的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGWA80H65DFB是ST意法半导体生产的一款650V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。该器件集成了高击穿电压与低导通损耗特性，其Vce(on)在80A电流下典型值仅为2V，有助于提升系统整体效率。

器件具备快速的开关性能，开启与关断延迟时间分别为84ns和280ns，开关能量较低，适用于高频开关应用。其宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C）和469W的最大功耗能力，确保了在工业环境下的高可靠性运行。