STGY80H65DFB

STGY80H65DFB是ST意法半导体推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用先进的沟道和场截止技术。该器件在单管TO-247-3封装内集成了优化的内部结构，实现了低导通压降与快速开关特性的良好平衡。其核心设计旨在降低传导与开关损耗，提升整体能效，同时通过稳健的构造确保在高功率密度应用中的长期可靠性。

该IGBT具备650V的集射极击穿电压和120A的连续集电极电流能力，脉冲电流（Icm）更可高达240A，展现出强大的过载承受力。在典型工作条件下（Vge=15V， Ic=80A），其饱和压降Vce(on)仅为2V，这直接转化为更低的导通损耗和发热。其开关性能尤为突出，在400V、80A的测试条件下，开关能量分别为2.1mJ（开启）和1.5mJ（关断），配合84ns/280ns的典型开关延迟时间，使其非常适合高频开关应用。此外，85ns的快速反向恢复时间有助于减少二极管关断时的损耗和噪声。

器件采用标准电压驱动，门极电荷为414nC，便于驱动电路设计。其最大功耗为469W，封装形式为经典的TO-247-3通孔安装，供应商器件封装命名为MAX247，提供了良好的散热和机械稳定性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高电压、大电流、低损耗及快速开关的综合特性，STGY80H65DFB主要面向要求严苛的工业功率转换领域。它是三相电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、焊接设备和工业变频器等中高功率应用的理想选择，能够在提升系统效率与功率密度的同时，确保运行的稳定性和耐用性。

• 型号:STGY80H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A MAX247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
• 功率 - 最大值:469 W
• 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:414 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
• 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:MAX247
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STGY80H65DFB是ST意法半导体生产的一款650V、120A绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-247-3（MAX247）封装。该器件基于沟道和场截止技术，在80A电流下典型饱和压降仅为2V，有效降低了导通损耗。

其核心优势在于优异的开关性能，开关能量低至2.1mJ（开启）和1.5mJ（关断），并具备85ns的快速反向恢复时间，这使其非常适合高频开关操作。高达469W的功率处理能力和240A的脉冲电流容量，确保了其在动态负载下的稳健性，适用于高要求的功率转换场景。