STH110N10F7-2

STH110N10F7-2是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII和DeepGATE技术平台构建。该器件采用H2PAK-2封装，专为表面贴装应用而设计，其核心架构旨在实现高功率密度与卓越的开关性能之间的平衡。通过优化的单元结构和沟槽工艺，该芯片在单位面积内实现了极低的导通电阻，为高效率功率转换奠定了物理基础。

该MOSFET的关键电气特性使其在高压大电流应用中表现出色。其漏源电压（Vdss）额定值为100V，在壳温（Tc）25°C条件下，连续漏极电流（Id）高达110A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、55A漏极电流条件下，最大值仅为6.5毫欧，这一低导通损耗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为72nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现快速、干净的开关动作。

在接口与参数方面，该器件设计稳健，栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。器件的最大功率耗散为150W（Tc），并且结温（TJ）工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关服务与产品信息。

基于其高耐压、大电流和低损耗的特性，STH110N10F7-2非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器的高压侧或低压侧开关、电机驱动与控制系统（如伺服驱动和变频器）、以及不间断电源（UPS）和电焊机等大功率设备中的功率开关部分。其H2PAK封装也适合需要良好散热性能的紧凑型电源模块设计。

• 型号:STH110N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH110N10F7-2是ST意法半导体基于STripFET VII技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，额定漏源电压（Vdss）为100V，在25°C壳温下可连续通过高达110A的电流，适用于高功率应用。

其核心优势在于极低的功率损耗。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值极低，最大值仅为6.5毫欧（@55A），这显著降低了传导过程中的热量产生。同时，优化的栅极电荷（Qg最大72nC @10V）有助于实现高效率的快速开关，减少开关损耗。器件结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。