STH130N10F3-2

STH130N10F3-2是意法半导体基于其先进的STripFET III技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，通过精细的单元设计和工艺控制，在单位面积内实现了极低的导通电阻与电荷平衡，从而显著提升了功率转换效率与开关性能。其核心设计旨在满足高功率密度应用中对热管理和电气性能的严苛要求，H2PAK-2封装结构提供了优异的散热路径，确保芯片结温在高达175°C时仍能稳定工作。

在电气特性方面，该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss）与120A的连续漏极电流（Id）承载能力，使其能够处理可观的功率等级。其最突出的性能指标在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至9.3毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在57nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗，这对于高频开关电源设计至关重要。用户可通过官方授权的ST一级代理获取完整的技术支持与供应链服务。

该器件采用表面贴装型H2PAK-2封装，这种封装形式兼具功率模块的散热优势与SMT的自动化生产便利性，其紧凑的占板面积适合高密度PCB布局。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）与高达250W的功率耗散能力，确保了其在恶劣环境下的可靠性。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代方案或咨询制造商以获取库存及生命周期信息。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和稳健的封装，STH130N10F3-2非常适用于对效率和功率密度有高要求的场合。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动控制器中的H桥或三相逆变器功率级、以及不间断电源（UPS）和直流-直流转换器中的功率开关。在这些场景中，其优异的电气和热特性有助于提升整体系统的能效等级与功率密度。

• 型号:STH130N10F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH130N10F3-2是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力。

其关键优势在于极低的功率损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为9.3毫欧（@60A），同时栅极电荷（Qg）最大值被控制在57nC，这共同确保了在高频开关应用中兼具低传导损耗与低开关损耗。器件支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，最大功率耗散为250W（Tc），设计用于要求高效率和可靠性的功率转换场景。