STPS1150M

STPS1150M是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用表面贴装封装的高性能肖特基势垒整流二极管。该器件采用先进的肖特基结技术，其核心在于金属-半导体结形成的势垒，相较于传统PN结二极管，这种结构在正向导通时具有更低的多子注入效应，从而实现了极低的正向导通压降和极快的开关速度。其内部架构针对高频开关应用进行了优化，确保了在快速切换状态下仍能保持优异的电气性能与热稳定性。

该二极管的一个显著功能特点是其极低的正向压降（Vf），在1A的额定电流下典型值仅为820mV，这能有效降低导通损耗，提升系统整体效率。同时，它具备高达150V的反向重复峰值电压（VRRM），为电路提供了宽裕的电压裕量。其开关特性属于快速恢复类型，恢复时间短于500纳秒（在电流大于200mA条件下），这使其在开关电源等高频电路中能有效抑制反向恢复电流尖峰，减少开关噪声和电磁干扰（EMI）。此外，在150V反向电压下，其反向漏电流典型值低至1A，表现出出色的反向阻断能力。

在接口与关键参数方面，STPS1150M采用紧凑的DO-216AA（也称为STmite）表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其额定平均整流电流（Io）为1A，能够满足中小功率级别的电流处理需求。这些参数共同定义了一款在效率、速度与电压等级之间取得良好平衡的整流器件。用户可以通过官方授权的ST代理获取详细的技术资料、样品以及采购支持。

得益于其低Vf、快速开关和高击穿电压的特性，STPS1150M非常适用于需要高效率和高频操作的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流、高频DC-DC转换器的输出整流、极性保护电路以及自由轮二极管（续流二极管）。尤其在对功耗和散热有严格要求的便携式设备、通信模块及工业控制电源中，它能显著提升能效并简化热管理设计。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在同类产品中仍具有参考价值。

• 型号:STPS1150M
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:STmite（DO-216AA）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 150V 1A STMITE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:150 V
• 电流 - 平均整流 (Io):1A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 1 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 A @ 150 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:DO-216AA
• 供应商器件封装:STmite（DO-216AA）
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
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STPS1150M是ST意法半导体生产的一款150V、1A的肖特基整流二极管，采用表面贴装STmite（DO-216AA）封装。其核心优势在于结合了低至820mV@1A的正向导通压降与快速恢复（<500ns）特性，能有效降低导通损耗并提升高频开关电路的效率。

该器件具备150V的高反向耐压和低至1A@150V的反向漏电流，提供了可靠的电压阻断能力。这些特性使其成为开关电源次级整流、DC-DC转换及续流保护等中小功率、高效率应用的理想选择。