STH130N8F7-2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STH130N8F7-2是一款基于先进STripFET F7技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计聚焦于降低传导与开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。芯片内部集成有优化的体二极管，并采用了增强型的热设计和电气隔离，确保了在高功率密度应用中的可靠性与稳定性。

该MOSFET具备80V的漏源击穿电压（Vdss）和高达110A的连续漏极电流（Id）承载能力，为其在严苛的功率处理场景中提供了坚实的电气基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、55A电流条件下典型值仅为5毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在60nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速开关并降低驱动电路的负担，从而优化高频开关应用的性能。

在接口与参数方面，STH130N8F7-2采用表面贴装型H2PAK-2封装，这种封装形式具有良好的散热能力和功率循环可靠性，适合自动化生产。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±20V的Vgs，提供了设计上的灵活性。器件支持高达205W（Tc）的功率耗散，并且结温工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，适应各种环境条件。用户可以通过正规的ST代理商获取该产品的技术支持与供应服务。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和稳健的封装，STH130N8F7-2非常适用于对效率和功率密度有高要求的领域。典型应用包括服务器和电信设备的DC-DC转换器、电机驱动与控制（如电动工具、工业电机）、以及不间断电源（UPS）和逆变器系统。在这些场景中，它能够有效提升能效，减少系统体积与散热需求，尽管其零件状态标注为不适用于新设计，但在许多现有或特定升级方案中，它依然是一个性能可靠的关键功率开关选择。

• 制造商产品型号：STH130N8F7-2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F7
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：110A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4500pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：205W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2Pak-2
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STH130N8F7-2是ST意法半导体STripFET F7系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2表面贴装封装。该器件核心优势在于其80V/110A的额定参数下，实现了极低的导通电阻（5mΩ @ 55A, 10V），这显著降低了功率传导过程中的损耗。

此外，其60nC的低栅极电荷与优化的动态特性，有助于实现高效率的快速开关操作，适用于高频开关场景。器件结温范围宽达-55°C至175°C，功率耗散能力为205W（Tc），确保了在高温、高功率应用环境下的稳定性和可靠性。