STH140N8F7-2

STH140N8F7-2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，结合了DeepGATE技术，旨在显著降低单位面积的导通电阻（R_DS(on)），从而在紧凑的封装内实现高效率的功率处理能力。其内部结构经过精心设计，以优化电荷平衡和开关特性，确保在高压大电流应用中的稳定性和可靠性。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的低导通电阻与高电流处理能力的平衡。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值仅为4毫欧（在45A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件在壳温（T_C）条件下可连续通过高达90A的漏极电流，并支持高达200W的功率耗散，展现了强大的热性能。其栅极电荷（Q_g）典型值控制在96nC（@10V），这有助于降低开关损耗，提升高频开关应用的性能，使得该器件在需要快速切换的电路中表现优异。

在电气参数方面，STH140N8F7-2的漏源击穿电压（V_DSS）为80V，栅源电压（V_GS）最大耐受范围为±20V，提供了宽裕的安全工作区间。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，确保了与常见驱动电路的兼容性。器件采用表面贴装型的H2PAK-2封装，这种封装具有良好的热性能和功率密度，便于在空间受限的PCB布局中进行散热管理。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品，确保原装正品和技术支持。

凭借80V的耐压等级、优异的导通与开关特性以及强大的电流承载能力，该器件非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。典型应用包括工业电源中的同步整流、电机驱动与控制系统中的逆变器桥臂、DC-DC转换器（尤其是降压和半桥拓扑），以及不间断电源（UPS）和电焊设备中的功率开关部分。其稳健的设计使其成为在汽车、工业自动化及高端消费电子领域中，构建高效、紧凑型功率解决方案的关键组件。

• 型号:STH140N8F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH140N8F7-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于先进的STripFET VII产品系列。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，核心特性在于其优异的电气性能平衡，旨在为高功率密度应用提供高效的解决方案。

其技术规格突出表现为高电流处理能力与低损耗的结合。器件在壳温条件下支持高达90A的连续漏极电流和200W的功率耗散，同时，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至4毫欧（@45A），这显著降低了传导损耗。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值为96nC，有助于优化开关性能，减少开关损耗。

凭借80V的漏源电压（V_DSS）和宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），该器件为同步整流、电机驱动、DC-DC转换及各类电源系统提供了可靠且高效的功率开关选择。