STH160N4LF6-2

STH160N4LF6-2是ST意法半导体基于其先进的STripFET VI和DeepGATE技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷乘积（R_DS(on) × Q_G），这一关键品质因数（FOM）的显著优化，直接转化为在高频开关应用中更低的导通损耗和开关损耗。其核心设计通过精细的单元结构和沟槽工艺，在保证高电流处理能力的同时，有效控制了寄生电容，为高效率功率转换奠定了硬件基础。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的导通性能与稳健性。在10V栅极驱动电压下，其最大导通电阻低至2.2毫欧（@60A），这使其在120A的连续漏极电流（T_C=25°C）条件下，能够将传导损耗降至极低水平。同时，其栅极阈值电压典型值较低，确保了在5V逻辑电平下也能实现高效驱动，增强了与主流控制器的兼容性。尽管器件已停产，但通过正规的ST中国代理渠道，仍可获取库存或替代方案咨询，以支持既有设计的持续生产与维护。

在电气参数方面，STH160N4LF6-2的漏源额定电压（V_DSS）为40V，适用于常见的12V、24V及48V中间总线系统。其栅极电荷（Q_G）典型值为181nC（@10V），结合较低的输入电容（C_iss），有助于实现快速的开关瞬态，减少开关过程中的重叠损耗。器件采用H2PAK-2表面贴装封装，该封装具有优异的散热性能和较低的封装寄生电感，支持高达150W（T_C）的功率耗散，其宽泛的结温工作范围（-55°C 至 175°C）也确保了其在苛刻环境下的可靠性。

凭借其高电流容量、低导通电阻和良好的开关特性，此器件主要面向对效率和功率密度有严苛要求的同步整流、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场景。例如，在服务器电源、通信设备电源的同步整流阶段，或是在电动工具、轻型电动汽车的电机控制逆变器中，它都能有效提升系统整体能效，是构建高性能、高可靠性功率链路的关键组件之一。

• 型号:STH160N4LF6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:181 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8130 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH160N4LF6-2是一款采用H2PAK-2封装的N沟道功率MOSFET，隶属于ST意法半导体的DeepGATE和STripFET VI产品系列。其核心设计旨在提供优异的功率处理能力与开关效率，关键参数包括40V的漏源电压（V_DSS）和高达120A（T_C=25°C）的连续漏极电流。

该器件的技术优势集中体现在极低的导通损耗上，其在10V栅极驱动、60A测试条件下的最大导通电阻仅为2.2毫欧。同时，其栅极电荷（Q_G）典型值为181nC，这有助于降低高频开关应用中的动态损耗。这些特性使其非常适合用于要求高效率和高功率密度的同步整流及DC-DC功率转换拓扑中。