STH175N4F6-2AG

STH175N4F6-2AG是意法半导体（STMicroelectronics）面向严苛汽车电子应用推出的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive STripFET F6产品系列，采用先进的沟槽栅工艺技术制造，旨在为高电流开关应用提供卓越的效率和可靠性。其核心设计聚焦于在紧凑的封装内实现极低的导通损耗和优异的开关性能，以满足现代汽车系统对功率密度和热管理的严格要求。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为2.4毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体能效并减少热量的产生。同时，器件具备高达120A的连续漏极电流处理能力（基于壳温条件），并支持高达40V的漏源电压，为12V或24V汽车电池系统提供了充足的电压裕量。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，在保证快速开关响应的同时，有助于简化栅极驱动电路的设计并降低开关损耗。

在接口与参数方面，STH175N4F6-2AG采用标准的H2PAK-2（也称TO-263-2）表面贴装封装，这种封装具有良好的散热性能和较高的功率密度，便于自动化生产。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在极端环境温度下的稳定运行。最大栅源电压为±20V，提供了较强的栅极抗干扰能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关的技术资料与库存信息。

这款器件主要针对需要高效率、高电流处理能力的汽车应用场景。其典型应用包括电机控制，如电动助力转向（EPS）、散热风扇、水泵等；电源开关与负载切换，例如在配电单元（PDU）或智能保险丝盒中；以及DC-DC转换器中的同步整流或高边/低边开关。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计代表了STripFET F6技术在高性能汽车功率开关领域的一个成熟解决方案，适用于对长期可靠性和性能有明确要求的现有系统设计或维护。

• 型号:STH175N4F6-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH175N4F6-2AG是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET F6技术，在H2PAK-2封装内集成了出色的电气性能，其核心优势在于极低的导通电阻（2.4mΩ @ 10V, 60A）和高电流承载能力（连续漏极电流120A @ Tc），旨在最大限度地降低传导损耗并提升功率转换效率。

其40V的漏源电压额定值适用于12V/24V汽车电池系统，而优化的栅极电荷（130nC）有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件支持-55°C至175°C的宽结温范围，确保了在恶劣汽车环境下的可靠运行。这些特性使其成为电机驱动、电源分配和DC-DC转换等高要求汽车电子应用的理想选择。