STH175N4F6-6AG

作为ST意法半导体Automotive, AEC-Q101, STripFET F6产品系列中的一员，STH175N4F6-6AG是一款采用先进H2PAK-2封装的高性能N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的STripFET F6技术平台构建，其核心架构针对低导通电阻与高开关效率进行了深度优化。其沟槽栅极设计有效增加了单元密度，在保证高电流处理能力的同时，显著降低了器件的固有导通损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能平衡。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值极低，在60A电流条件下最大值仅为2.4毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在130nC @ 10V，结合优化的内部结构，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达150W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在严苛环境下的可靠性与稳定性。

在接口与关键参数方面，STH175N4F6-6AG设计有40V的漏源击穿电压（Vdss），能够为12V或24V汽车电气系统提供充足的电压裕量。其连续漏极电流（Id）在壳温25°C时高达120A，具备强大的电流处理能力。表面贴装型的H2PAK-2封装不仅提供了优异的散热性能和功率密度，还便于自动化生产装配。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术资料与支持服务。

凭借其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，该器件主要面向对可靠性要求极高的汽车电子应用场景。它非常适合用作电机驱动控制、电动助力转向（EPS）、燃油泵控制、电磁阀驱动等系统中的主开关或同步整流元件。此外，在工业电源、大电流DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中的负载开关等场合，其低导通电阻和高电流能力也能显著提升系统性能和功率密度。

• 型号:STH175N4F6-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH175N4F6-6AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2封装。该器件隶属于STripFET F6系列，核心优势在于其优异的电气性能平衡，旨在为高电流、高效率应用提供可靠的开关解决方案。

其关键参数包括40V的漏源电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续漏极电流。尤为突出的是，在10V栅极驱动下，其导通电阻最大值仅为2.4毫欧 @ 60A，配合130nC @ 10V的最大栅极电荷，共同实现了低传导损耗与快速开关特性的结合。这些特性使其成为汽车电机驱动、电源转换等高要求应用的理想选择。