STH210N75F6-2

STH210N75F6-2是ST意法半导体基于其先进的STripFET VI与DeepGATE技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和沟槽栅极工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻与出色的电荷平衡。这种架构有效降低了传导损耗和开关损耗，其H2PAK-2封装专为大电流应用设计，提供了卓越的散热性能和机械可靠性，确保器件在高功率密度场景下稳定运行。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的功率处理能力与效率。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流高达180A，最大功率耗散为300W，展现出强大的电流承载与散热能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、90A漏极电流条件下典型值仅为2.8毫欧，这一极低的Rds(on)值直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷(Qg)典型值为171nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能。用户可通过授权的ST代理商获取详细的技术支持与供应链服务。

在电气参数方面，STH210N75F6-2的漏源击穿电压(Vdss)为75V，适用于常见的48V及以下总线电压系统。其栅源驱动电压范围宽达±20V，而阈值电压Vgs(th)最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力和易驱动性。器件的输入电容(Ciss)为11800pF，需要在驱动电路设计时予以考虑以实现最优的动态性能。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，保证了在严苛环境下的可靠性与鲁棒性。表面贴装的H2PAK-2封装形式适合自动化生产，并优化了PCB布局的热管理。

凭借高电流、低导通电阻和优异的封装散热特性，这款器件非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级大电流DC-DC转换器、服务器及通信设备的电源冗余(ORing)与负载开关、电机驱动与控制系统中的逆变器桥臂，以及新能源领域如电池管理系统(BMS)中的主保护开关。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统设计、维护或特定批量化项目中，它仍是一个经过验证的高性能功率开关解决方案。

• 型号:STH210N75F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:171 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH210N75F6-2是ST意法半导体推出的一款采用H2PAK-2封装的大电流N沟道功率MOSFET。该器件隶属于STripFET VI与DeepGATE产品系列，其核心设计旨在实现极低的功率损耗和高可靠性。

其关键电气参数定义了卓越的性能：75V的漏源电压(Vdss)与高达180A的连续漏极电流(Id)使其能够处理高功率负载。最突出的特性是其极低的导通电阻，在10V Vgs、90A Id条件下典型值仅为2.8毫欧，这显著降低了传导损耗。同时，171nC的栅极电荷(Qg)有助于优化开关性能。该器件支持-55°C至175°C的宽结温范围，适用于要求严苛的工业与通信电源应用。