STH240N75F3-6

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STH240N75F3-6是一款采用先进STripFET III技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G），实现了高电流处理能力与快速开关特性的优异平衡。其核心优势在于通过精细的单元结构和工艺优化，在保持高可靠性的同时，最大限度地减少了传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换应用提供了坚实的基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源电压（V_DSS）额定值为75V，适用于多种中压应用环境。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（I_D）高达180A，展现出强大的电流承载能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、90A漏极电流条件下，其导通电阻典型值低至3毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。同时，其栅极总电荷（Q_G）最大值仅为87nC @ 10V，结合适中的输入电容（C_iss），有助于实现快速的开关瞬态，降低驱动电路的负担并提升系统频率。

在接口与参数方面，STH240N75F3-6采用H2PAK-6（也称DirectFET）表面贴装封装。这种封装具有极低的寄生电感和卓越的热性能，其顶面裸露的金属外壳便于直接与散热器接触，最大功率耗散能力达300W（T_C），确保了在高功率密度设计中的稳定运行。其栅极阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，提供了良好的噪声抑制能力，而±20V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全裕量。器件的工作结温范围宽广，为-55°C至175°C，能够适应严苛的工业环境。对于需要稳定供货与技术支持的项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是可靠的选择。

基于其高电流、低损耗和优异的封装热特性，STH240N75F3-6非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括服务器和电信设备的高效率DC-DC同步整流和功率转换级、工业电机驱动和机器人中的高功率电机控制与驱动电路，以及新能源领域如太阳能逆变器中的功率开关模块和大电流电池管理系统（BMS）中的保护开关。它在这些场景中能够有效提升系统整体能效，减少散热需求，并增强系统的可靠性。

• 型号:STH240N75F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH240N75F3-6是ST意法半导体STripFET III系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-6表面贴装封装。该器件额定电压75V，在壳温25°C下可连续通过高达180A的电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动、90A电流条件下典型值仅为3毫欧，能显著降低导通损耗。

此外，其栅极电荷（Q_G）最大值控制在87nC，有利于实现快速开关并降低驱动功耗。封装具备出色的散热能力，支持最大300W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至175°C。这些特性使其成为高效率、高功率密度电源转换和电机驱动应用的理想选择。