STU3LN80K5

STU3LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于采用了创新的单元结构和专利的电荷平衡技术，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时显著改善了开关性能与雪崩耐量，为高压开关应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。高达800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）等高压环境下的电压应力。在10V驱动电压下，其导通电阻典型值仅为3.25欧姆（@1A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，极低的栅极电荷（Qg，最大值2.63nC @10V）和输入电容（Ciss）是其另一大亮点，这意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关速度，从而降低开关损耗并提升工作频率。

在接口与参数方面，STU3LN80K5设计为通孔安装的IPAK（TO-251）封装，便于在传统PCB板上进行可靠的焊接与散热。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为2A，最大栅源电压（Vgs）支持±30V，提供了宽裕的驱动安全裕度。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取正品器件及相关设计资源。

凭借其高压、高效、快速开关的特性组合，这款MOSFET非常适合应用于中小功率的离线式开关电源（SMPS）、LED照明驱动、家用电器辅助电源以及工业控制中的电机驱动辅助电路。它在反激式、正激式等拓扑中作为主开关管或钳位开关，能够有效提升电源的功率密度和整体能效，是工程师设计高性能、高可靠性功率转换系统的优选元件。

• 型号:STU3LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK（TO-251）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK（TO-251）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU3LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用先进的电荷平衡技术，核心优势在于实现了800V高耐压与低导通电阻（典型值3.25Ω @1A, 10V）的卓越结合。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括极低的栅极电荷（最大2.63nC）和输入电容，有助于降低驱动损耗并提升开关速度。采用通孔IPAK（TO-251）封装，在壳温条件下支持2A连续电流和45W功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，为离线电源、LED驱动等高压应用提供了可靠且高效的开关解决方案。