STPS30170DJF-TR

STPS30170DJF-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能表面贴装肖特基势垒整流二极管。该器件采用先进的半导体工艺和创新的PowerFlat封装技术，旨在为高效率、高功率密度的电源转换应用提供核心的整流解决方案。其设计充分考虑了现代电子设备对能效、热管理和空间占用的严格要求。

该芯片的核心架构基于优化的肖特基势垒金属-半导体结，这一结构是实现其优异性能的基础。与传统PN结整流器相比，肖特基结构具有更低的正向压降和理论上为零的少数载流子存储效应，这直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度。STPS30170DJF-TR实现了950mV @ 30A的典型低正向压降（Vf），在额定工作电流下能显著减少功率耗散，提升系统整体效率。同时，其快速恢复特性（≤ 500ns）确保了在开关电源等高频率工作环境中，由反向恢复过程引起的开关损耗和电磁干扰（EMI）被有效抑制。

在电气参数方面，该器件展现了卓越的平衡性。它具备高达170V的反向重复峰值电压（VRRM），为交流输入整流、DC-DC转换器次级侧整流等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。其平均正向整流电流（IO）高达30A，支持大电流功率路径。在170V反向电压下，其典型反向漏电流（IR）仅为15A，体现了出色的反向阻断能力，有助于降低待机功耗。这些参数共同构成了一个高效、可靠的整流单元。

STPS30170DJF-TR采用8引脚PowerFlat（5x6）封装，这是一种专为高功率密度设计的表面贴装封装。该封装具有极低的热阻和优异的散热性能，其紧凑的占板面积（5mm x 6mm）非常适合空间受限的现代PCB布局。为了确保获得原厂品质和可靠的技术支持，建议通过正规的ST授权代理进行采购。其典型的应用场景广泛覆盖了需要高效率整流的领域，包括但不限于开关模式电源（SMPS）的次级侧整流、电机驱动电路中的续流二极管、光伏逆变器的DC链路、以及工业电源和通信设备中的功率转换模块。在这些应用中，其低损耗、快速开关和紧凑封装的优势得以充分发挥，是实现高能效、高可靠性电源设计的关键元器件之一。

• 型号:STPS30170DJF-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTK 170V 30A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:170 V
• 电流 - 平均整流 (Io):30A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 30 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15 A @ 170 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
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STPS30170DJF-TR是ST意法半导体生产的一款170V、30A表面贴装肖特基整流二极管。该器件采用PowerFlat封装，核心优势在于其极低的导通损耗与快速的开关性能，其典型正向压降仅为950mV @ 30A，并具备快速恢复特性（≤ 500ns），能有效提升电源转换效率并降低高频开关损耗。

其170V的高反向耐压和30A的大电流处理能力，为设计提供了宽裕的安全边际和功率承载空间。同时，紧凑的封装形式（5mm x 6mm）和优化的热性能，使其非常适用于对空间和散热有严苛要求的高功率密度应用场景。