STH260N6F6-2

作为ST意法半导体DeepGATE与STripFET VI产品系列中的一员，STH260N6F6-2是一款采用先进沟槽栅极技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中显著降低传导与开关损耗。该器件采用H2PAK-2封装，这种封装形式专为大电流和高功率密度应用而设计，提供了优异的散热性能和机械可靠性。

该MOSFET的关键特性在于其卓越的电气性能平衡。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值极低，在60A电流条件下仅为2.4毫欧，这直接转化为更低的通态压降和功率损耗。高达180A的连续漏极电流（T_C=25°C）与60V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够处理高功率负载。同时，其栅极电荷（Q_g）在10V条件下最大值为183nC，结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速、干净的开关切换，减少开关过程中的电压尖峰和振荡，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面，器件支持±20V的最大栅源电压，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。输入电容（C_iss）为11800pF，与低栅极电荷特性共同决定了其动态性能。器件的最大功率耗散能力为300W（T_C），工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和稳健的开关特性，STH260N6F6-2非常适用于对效率和功率密度要求极高的应用场景。典型应用包括服务器和电信设备的高效率DC-DC转换器、电动工具和工业电机驱动中的电机控制与驱动电路，以及新能源领域如光伏逆变器和车载充电机（OBC）中的功率开关部分。其表面贴装型H2PAK-2封装也适合自动化生产，满足现代电力电子设备紧凑化、高可靠性的设计需求。

• 型号:STH260N6F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH260N6F6-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的DeepGATE和STripFET VI产品系列。该器件采用H2PAK-2封装，核心优势在于其优异的电流处理能力与极低的功率损耗特性。

其关键参数包括60V的漏源电压（V_DSS）和高达180A（T_C=25°C）的连续漏极电流。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为2.4毫欧（@60A），配合183nC（@10V）的最大栅极电荷，实现了传导损耗与开关损耗的出色平衡，从而提升整体系统效率。

该器件设计用于高功率密度和高可靠性应用，宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和300W（T_C）的功率耗散能力，使其能够胜任严苛环境下的持续工作，是高要求电源转换和电机驱动方案的理想选择。