STK822

STK822是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用先进封装技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于STripFET技术平台构建，该平台通过优化单元结构和工艺，旨在实现极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的乘积，即优异的品质因数（FOM），从而在开关应用中显著降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。

其核心电气特性表现为25V的漏源击穿电压（V_{DSS）和高达38A的连续漏极电流（ID）能力，使其非常适合处理中低电压、大电流的功率路径。其导通电阻在10V栅极驱动电压（VGS）和19A电流条件下，最大值仅为2.15毫欧，这一超低的RDS(on)是降低导通状态下功率耗散的关键。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33nC（@4.5V），结合2.5V（最大值）的阈值电压（VGS(th)），意味着该器件具备快速的开关速度和良好的栅极驱动兼容性，能够简化驱动电路设计并提升开关频率。}

该器件采用创新的PolarPak封装，这是一种专为优化热性能和电气性能而设计的表面贴装封装。其结构有助于实现更低的封装寄生电感和电阻，同时改善了芯片到散热界面的热传导路径，从而在紧凑的占板面积内支持高达5.2W的功率耗散。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取相关技术资料与库存信息。

综合其参数，STK822主要面向需要高效率和高功率密度的DC-DC转换应用，例如计算机主板、显卡的VRM（电压调节模块）、服务器电源的同步整流阶段，以及各类便携式设备中的负载点（POL）转换器。其优异的开关特性也使其适用于电机驱动控制电路中的开关元件。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的低损耗、高性能理念，在当时的同步整流和电源管理方案中曾是重要的组成部分。

• 型号:STK822
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PolarPak
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 38A POLARPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.15 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6060 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PolarPak
• 封装/外壳:PolarPak
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STK822是ST意法半导体STripFET系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用PolarPak封装。该器件设计用于中低电压、大电流的开关应用，其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷。

具体而言，它在V_GS=10V时提供最大仅2.15mΩ的导通电阻，配合38A的连续电流能力，可有效最小化导通损耗。同时，其最大栅极电荷低至33nC，确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升开关电源的效率和功率密度。其25V的漏源电压额定值和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），使其适用于对效率和可靠性有较高要求的DC-DC转换与电机控制场景。