STH265N6F6-6AG

意法半导体推出的STH265N6F6-6AG是一款采用先进STripFET F6技术的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与卓越的开关性能。该器件采用优化的单元结构和先进的沟槽工艺，在保证高可靠性的前提下，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这对于提升系统整体效率至关重要。其设计充分考虑了高温下的稳定性，结温（T_J）工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的持续可靠运行。

在电气特性方面，该MOSFET的突出优势在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，R_DS(on)典型值仅为2.1毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Q_g）被精心优化，在10V条件下最大值为183nC，结合11800pF的输入电容（C_iss），有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗，这对于高频开关应用尤为重要。其漏源击穿电压（V_DSS）为60V，连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下可达180A，最大功率耗散为300W，展现出强大的电流处理与功率承载能力。

该器件采用H2PAK-6表面贴装封装，这种封装形式提供了优异的散热性能和更高的功率密度，便于在紧凑的PCB布局中实现高效的热管理。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±20V的栅源电压（V_GS），增强了设计的灵活性。值得注意的是，ST芯片代理渠道可为此类已停产的汽车级元器件提供库存与供应链支持。凭借其符合AEC-Q101标准的汽车级认证以及STripFET F6技术带来的高效率，它非常适用于对可靠性和性能要求极高的汽车电子领域，如电动助力转向（EPS）、电机驱动、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中的主开关或同步整流环节。

• 型号:STH265N6F6-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 想获取STH265N6F6-6AG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STH265N6F6-6AG是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive, STripFET F6产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，在60V的漏源电压（V_DSS）下，能够持续处理高达180A（T_C）的漏极电流，并具备仅2.1毫欧（@60A, 10V）的极低导通电阻，有效降低了功率损耗。

其设计兼顾了开关性能与可靠性，最大栅极电荷（Q_g）为183nC，支持快速开关动作。器件采用H2PAK-6表面贴装封装，最大功率耗散能力为300W（T_C），工作结温范围覆盖-55°C至175°C，专为要求严苛的汽车电子和高功率密度开关电源应用而优化。