STH270N4F3-6

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STH270N4F3-6是一款采用N沟道技术的功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive级STripFET III产品系列，专为满足严苛的汽车电子环境要求而设计。该器件采用先进的HPAK封装，实现了功率密度与散热性能的优化平衡，其核心架构基于STripFET III技术，通过优化单元结构和沟槽工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G），从而在开关性能和导通损耗之间取得了卓越的折衷。

在电气特性方面，极低的导通电阻是其突出优势，在10V栅极驱动电压、80A漏极电流条件下，其最大导通电阻仅为1.7毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，该器件具备高达180A的连续漏极电流承载能力（基于壳温T_C）和40V的漏源击穿电压（V_{DSS），为12V或24V车载电源系统的功率开关应用提供了充足的裕量。其栅极电荷（QG）最大值控制在150nC（@10V），结合±20V的宽泛栅源电压范围，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。}

该MOSFET的接口形式为表面贴装型HPAK封装，这种封装具有优异的热性能和较低的封装寄生电感，适合大电流路径设计。其最大功率耗散能力为300W（T_C），结合宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），确保了器件在高温环境下的可靠运行。对于需要获取此型号技术支持和供货信息的工程师，可以通过官方授权的ST代理商进行咨询。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计参数和性能表现仍代表了其在生命周期内针对高要求应用的技术水准。

基于其高电流处理能力、低导通损耗以及符合汽车级标准的可靠性，STH270N4F3-6非常适用于对效率和鲁棒性有严格要求的汽车电子领域。典型应用场景包括电动助力转向（EPS）系统、发动机管理单元中的喷油器驱动、48V轻度混合动力系统中的DC-DC转换器，以及各类大电流的负载开关和电机驱动控制。在这些应用中，其优异的电气和热特性有助于提升系统整体能效，并满足汽车行业对长寿命和高可靠性的核心诉求。

• 型号:STH270N4F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH270N4F3-6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用通过AEC-Q101认证的Automotive级STripFET III技术。该器件设计用于严苛的汽车环境，采用HPAK封装，在10V栅极驱动下可实现低至1.7毫欧（@80A）的导通电阻，并支持高达180A的连续漏极电流与40V的漏源电压，有效降低了功率损耗并提升了电流处理能力。

其栅极电荷最大值仅为150nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。器件结温工作范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为300W，确保了高温环境下的稳定运行。这些特性使其成为汽车中大电流开关应用的理想选择，例如电动助力转向、电机驱动和DC-DC电源转换等场景。