STH270N8F7-6

作为ST意法半导体旗下DeepGATE和STripFET VII产品系列中的一员，STH270N8F7-6是一款采用先进沟槽栅技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心在于第七代STripFET技术，该技术通过精细的单元结构和高密度封装，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的栅极控制特性，为高效率功率转换奠定了坚实基础。

该MOSFET的突出特性体现在其卓越的电气参数上。其漏源电压（V_DSS）额定值为80V，能够稳定工作在多种中压应用环境中。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）高达180A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，其在10V栅极驱动电压、90A漏极电流条件下的导通电阻典型值低至2.1毫欧，这一极低的R_DS(on)直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极电荷（Q_g）最大值为193nC @ 10V，结合优化的内部结构，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与热管理方面，该器件采用HPAK表面贴装封装，这种封装形式提供了优异的散热性能和更高的功率密度，其最大功率耗散可达315W（T_C）。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±20V的电压，增强了应用的鲁棒性。输入电容（C_iss）等动态参数经过精心优化，以平衡开关速度与电磁干扰（EMI）。其结温工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品的完整资料、样品及供应保障。

凭借其高电流、低导通电阻和坚固的封装特性，STH270N8F7-6非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括工业电机驱动、大功率DC-DC转换器、不间断电源（UPS）系统以及电动汽车中的辅助驱动和电池管理系统。它能够有效担任同步整流、逆变桥臂或负载开关中的关键角色，是工程师设计下一代高效能、高可靠性电源与驱动解决方案的理想选择。

• 型号:STH270N8F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH270N8F7-6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于先进的DeepGATE和STripFET VII产品系列。该器件采用HPAK封装，额定漏源电压为80V，在25°C壳温下可支持高达180A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动、90A电流条件下，导通电阻典型值仅为2.1毫欧。同时，193nC的栅极电荷（最大值）有助于实现高效的开关性能。这些特性使其非常适用于要求高效率和高功率密度的应用，如工业电机驱动、大功率开关电源和能源转换系统。