STP19NM65N

STP19NM65N是ST意法半导体基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，这一核心架构是实现高效功率转换的关键。其设计旨在满足高电压、高频率开关应用中对低损耗和高可靠性的严格要求。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。高达650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路以及电机驱动中常见的电压应力和浪涌。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为270毫欧（@7.75A），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，最大栅极总电荷（Qg）控制在55nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于减少开关过程中的驱动损耗，并允许使用更简洁的驱动电路，从而实现更高频率的开关操作，这对于缩小磁性元件尺寸、提高功率密度至关重要。

在接口与参数方面，该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热。其标称连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C条件下为15.5A，最大结温（Tj）可达150°C，确保了在严苛环境下的稳定工作能力。栅源电压（Vgs）支持±25V的最大范围，提供了足够的驱动裕量。用户在选择和设计时，可以通过咨询专业的ST授权代理，获取详细的技术支持、可靠性数据以及停产替代方案的建议，以确保项目顺利进行。

得益于其优异的性能组合，STP19NM65N非常适合应用于对效率和可靠性有高要求的领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器的DC-AC转换级以及工业电机驱动和照明镇流器。在这些应用中，它能够有效处理高电压大电流，同时通过降低开关和导通损耗来提升能效，是构建高效、紧凑型功率系统的可靠选择。

• 型号:STP19NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP19NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和15.5A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至270毫欧，有助于最小化导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为55nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其在要求高效率和高功率密度的开关电源及电机驱动设计中表现出色。