STH275N8F7-6AG

STH275N8F7-6AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道功率MOSFET，隶属于符合汽车级AEC-Q101标准的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的H2PAK-6封装，专为要求苛刻的高功率密度和高可靠性应用而设计，其核心架构基于STripFET F7技术，通过优化的单元结构和先进的沟槽工艺，在降低导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G）之间实现了出色的平衡，从而显著提升了开关效率和功率处理能力。

该MOSFET具备80V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达180A的连续漏极电流（I_D）能力，使其能够承受严苛的负载条件。其关键特性在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压和90A漏极电流条件下，导通电阻典型值低至2.1毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值控制在193nC，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以进一步提升。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的ST一级代理获取该产品，确保原装正品和技术支持。

在电气参数方面，该器件栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了宽裕的驱动安全裕量。其阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，确保了良好的噪声免疫性和易驱动性。高达315W（T_C）的功率耗散能力和宽广的结温工作范围（-55°C至175°C），使其能够适应高温环境下的持续运行。表面贴装的H2PAK-6封装不仅提供了优异的散热性能和更高的功率密度，其紧凑的占板面积也符合现代电子设备小型化的趋势。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和坚固的汽车级品质，STH275N8F7-6AG非常适用于对效率和可靠性有极高要求的应用场景。典型应用包括电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的主驱逆变器、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）。此外，在工业自动化领域，它也是大功率电机驱动、不间断电源（UPS）和焊接设备中功率开关阶段的理想选择，能够有效提升系统整体能效和功率密度。

• 型号:STH275N8F7-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH275N8F7-6AG是ST意法半导体推出的汽车级（AEC-Q101）N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-6封装。该器件基于STripFET F7技术，核心优势在于其高达180A的连续电流承载能力与极低的2.1毫欧导通电阻（@10V, 90A）的出色结合，这使其在80V的工作电压下能实现极低的传导损耗。

此外，其193nC的栅极电荷有助于降低开关损耗，提升系统效率。高达315W的功率耗散能力和-55°C至175°C的宽结温范围，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。这些特性使其成为高功率、高密度电源转换和电机驱动应用的优选解决方案。