STL260N3LLH6

STL260N3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET H6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极结构，通过精密的单元设计和制造工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与优异的开关性能平衡。其核心架构旨在最大限度地减少传导和开关损耗，这对于提升高电流应用中的整体系统效率至关重要。作为STripFET H6系列的代表性产品，其设计体现了在功率密度和热管理方面的持续优化。

该MOSFET的突出特性在于其极高的电流处理能力与极低的导通电阻。在壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达260A，而导通电阻在10V栅源电压（V_{GS）下可低至1.3毫欧（典型值）。这种低RDS(on)特性直接转化为更低的导通损耗，减少了热量产生。同时，其栅极电荷（QG）被控制在较低水平（最大值61.5nC @ 4.5V），这有助于降低驱动损耗并实现更快的开关速度，对于高频开关应用尤为有利。其栅极阈值电压（VGS(th)）设计确保了与标准逻辑电平或模拟驱动电路的兼容性。}

在电气参数方面，该器件具备30V的漏源击穿电压（V_{DSS），适用于常见的12V或24V总线系统。其栅极耐受电压（VGS）范围为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。封装采用了意法半导体的PowerFlat（5x6）表面贴装形式，这种封装具有极低的热阻和优异的散热性能，其紧凑的占板面积有助于实现高功率密度的PCB布局。最大功率耗散为166W（TC），结合宽泛的结温工作范围（-55°C 至 175°C），使其能够在苛刻的环境下稳定运行。用户可通过官方ST代理获取详细的技术支持与供货信息。}

凭借其高电流、低损耗和出色的热特性，STL260N3LLH6非常适合于对效率和空间有严苛要求的功率转换与电机控制领域。典型应用包括服务器和电信设备的同步整流、DC-DC转换器中的高侧或低侧开关、电动工具及工业自动化中的电机驱动、以及电池管理系统（BMS）中的负载开关与保护电路。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和需要高可靠性替代方案的应用中，它仍然是一个重要的技术参考和选择基准。

• 型号:STL260N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6375 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL260N3LLH6是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET H6产品系列。该器件采用PowerFlat（5x6）封装，专为需要极高电流处理能力和最低导通损耗的应用而优化。

其核心电气参数表现卓越：漏源电压（V_{DSS）为30V，在壳温条件下连续漏极电流（ID）高达260A。最显著的优势在于其极低的导通电阻，在10V VGS下典型值仅为1.3毫欧，这能显著降低功率传导损耗。同时，优化的栅极电荷（QG）有助于实现高效的开关性能。}

这些特性使其成为同步整流、高密度DC-DC电源转换以及大电流电机驱动等应用的理想选择，能够在提升系统效率的同时满足紧凑的布局要求。