STH290N4F6-6AG

STH290N4F6-6AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款面向严苛汽车电子应用的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET技术平台构建，其核心设计旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能，以满足现代汽车电气化系统对高效率和高功率密度的严格要求。

该芯片的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和45A漏极电流条件下，其R_DS(on)典型值仅为1.7毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_g）被优化至115nC（@10V），有助于降低开关损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而简化电源拓扑设计并提升开关频率。其高达180A（T_C）的连续漏极电流能力和40V的漏源击穿电压（V_DSS），使其能够稳健地处理大电流负载，适用于高功率应用场景。

在电气参数方面，该器件展现了宽泛的工作适应性。其栅源电压（V_GS）支持±20V的最大额定值，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。其结温（T_J）工作范围覆盖-55°C至175°C，结合高达300W（T_C）的功率耗散能力，使其能够承受汽车环境中常见的极端温度波动和高热负荷。器件采用H2PAK-6表面贴装封装，该封装具有优异的散热性能和较低的封装寄生电感，非常适合高电流、高可靠性的自动化生产装配。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其AEC-Q101认证资质和强大的性能参数，STH290N4F6-6AG主要定位在汽车电子领域。其典型应用包括但不限于电动助力转向（EPS）系统、48V轻度混合动力（MHEV）系统中的DC-DC转换器和电机驱动、传统内燃机汽车的启停系统执行器，以及各类需要高效功率开关的车载电源管理和负载控制单元。其高可靠性和高效率特性，使其成为推动汽车电气化架构发展的关键元器件之一。

• 型号:STH290N4F6-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH290N4F6-6AG是意法半导体符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-6封装。其核心优势在于结合了极低的导通电阻（1.7mΩ @ 45A, 10V）与优化的开关特性（栅极电荷115nC @ 10V），旨在最大限度地降低传导与开关损耗，提升系统能效。

该器件具备40V的漏源电压和高达180A（T_C）的连续漏极电流处理能力，功率耗散达300W（T_C），工作结温范围宽至-55°C至175°C，确保了在严苛汽车环境下的高可靠性与稳健性。这些特性使其成为汽车高功率开关应用的理想选择，如电机驱动和电源转换系统。