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STX13004G-AP

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晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 400V 2A TO-92AP
原厂封装:封装:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
优势价格,STX13004G-AP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STX13004G-AP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STX13004G-AP是ST意法半导体推出的一款高压双极性结型晶体管(BJT),采用经典的NPN结构,专为需要高耐压和中等电流处理能力的应用而设计。其核心架构基于成熟的硅平面工艺,确保了在高达400V的集电极-发射极电压(VCEO)下稳定工作,同时集电极电流(IC)连续输出能力达到2A,为开关和线性放大电路提供了可靠的功率处理基础。

该器件的一个显著特点是其高击穿电压与良好的饱和特性相结合。在典型工作条件下,当基极电流(IB)为500mA、集电极电流为2A时,其集电极-发射极饱和压降(VCE(sat))最大值仅为1V,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提升整体能效。其直流电流增益(hFE)在1A、5V条件下最小值为10,虽然增益值不高,但确保了在驱动条件充足时能够稳定进入饱和区,适用于开关模式应用。此外,其最高结温(TJ)可达150°C,并采用通孔形式的TO-92AP(TO-226AA)封装,提供了良好的散热能力和便捷的PCB安装方式,最大功耗为2.5W。

在接口与参数方面,这款晶体管提供了标准的三引脚(发射极、基极、集电极)配置。其集电极截止电流(ICEO)最大值为1mA,表明了在关断状态下具有较低的漏电流特性。对于需要可靠元器件供应的设计项目,可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的技术支持和库存信息。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备和替代设计中,它仍然是一个被广泛认可和使用的经典型号。

基于其400V的耐压和2A的电流能力,STX13004G-AP非常适合于离线式开关电源(SMPS)中的辅助电源开关、电子镇流器、电机控制驱动电路以及CRT显示器的行输出级等应用场景。它也常被用于继电器驱动、电感负载开关和高压线性稳压器中,其稳健的性能在工业控制和消费电子领域的历史设计中得到了充分验证。

  • 制造商产品型号:STX13004G-AP
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:TRANS NPN 400V 2A TO-92AP
  • 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):2A
  • 电压-集射极击穿(最大值):400V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):1V @ 500mA,2A
  • 电流-集电极截止(最大值):1mA
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):10 @ 1A,5V
  • 功率-最大值:2.5W
  • 频率-跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
  • 想获取STX13004G-AP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STX13004G-AP是STMicroelectronics生产的一款NPN型双极性晶体管,采用TO-92AP通孔封装。其核心电气参数包括高达400V的集射极击穿电压和2A的最大集电极电流,使其能够胜任中高压环境下的开关与放大任务。

该器件在饱和导通时表现出较低的压降(典型条件下VCE(sat) ≤ 1V @ 2A),有助于减少导通损耗。其设计最大功耗为2.5W,最高工作结温为150°C,提供了可靠的功率处理能力和较宽的工作温度范围,适用于要求结构简单、成本优化的功率控制电路。

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