STFW4N150

STFW4N150是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和工艺技术，在确保高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心优势在于实现了1500V超高漏源击穿电压（V_DSS）与低栅极电荷（Q_g）之间的出色平衡，这对于提升高压开关电源的效率和可靠性至关重要。

在功能特性方面，该MOSFET在10V栅极驱动电压下，典型导通电阻仅为7欧姆（在2A电流条件下），这有助于降低导通损耗。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力和稳定的开关控制。同时，极低的栅极电荷（最大50nC @ 10V）和输入电容（C_iss）特性，使得开关过程中的栅极驱动损耗显著减少，有利于实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件的体积。其封装采用坚固的ISOWATT-218FX通孔形式，提供了优异的电气隔离和散热性能，最大结温（T_J）可达150°C，功率耗散能力为63W（壳温T_C条件下）。

该器件的接口参数设计充分考虑了高压应用的严苛要求。其漏极连续电流（I_D）在壳温条件下额定值为4A，能够承受较高的电流应力。栅源电压（V_GS）最大耐受范围为±30V，为驱动电路设计提供了充足的裕量。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取正品器件及相关设计资源。

基于其高压、高效和坚固的特性，STFW4N150非常适用于对电压等级和能效有严格要求的工业级应用场景。典型应用包括工业开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和高压DC-DC转换器、UPS（不间断电源）系统的功率级，以及电机驱动和照明镇流器中的高压开关。在这些应用中，它能够有效提升系统整体效率，并确保在高压环境下的长期稳定运行。

• 型号:STFW4N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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STFW4N150是意法半导体推出的一款采用ISOWATT-218FX封装的高压N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件核心规格为1500V漏源电压（V_DSS）和4A连续漏极电流（I_D），专为应对严苛的高压环境而设计。

其技术亮点在于通过优化的单元结构，在维持超高耐压的同时，实现了较低的导通电阻（7Ω @ 2A, 10V）和极低的栅极电荷（50nC @ 10V）。这一组合特性显著降低了开关损耗和驱动损耗，有助于提升电源系统的转换效率与开关频率。器件支持高达150°C的结温工作，功率耗散达63W，确保了在工业级应用中的高可靠性与鲁棒性。