STH400N4F6-6

STH400N4F6-6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款面向严苛汽车应用环境的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET VI和DeepGATE技术平台构建，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与优异的开关性能平衡。其多源极引脚的H2PAK-6封装结构不仅优化了电流分布，降低了封装寄生电感，还显著提升了器件的散热能力，这对于高功率密度应用至关重要。

该MOSFET在10V栅极驱动下，能够提供高达180A的连续漏极电流（Tc=25°C），而其导通电阻（R_DS(on)）在60A，10V条件下典型值低至1.15毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）典型值为404nC，结合优化的内部结构，有助于实现快速开关并降低开关损耗，同时其高达±20V的栅源电压容限也增强了驱动的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与供货信息。

在电气参数方面，40V的漏源击穿电压（V_DSS）使其非常适合用于24V电池系统的负载开关及电机控制场景。器件具备宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），并通过了AEC-Q101认证，确保了在汽车电子环境中长期工作的可靠性。其表面贴装的H2PAK-6封装提供了优异的功率耗散能力，在壳温条件下最大功耗可达300W，便于在紧凑空间内进行热管理设计。

凭借其高电流处理能力、极低的导通电阻以及汽车级的可靠性，STH400N4F6-6主要定位在要求苛刻的汽车动力总成与底盘系统中，例如电动助力转向（EPS）、燃油泵控制、主动悬架执行器以及48V/12V DC-DC转换器的同步整流环节。在这些应用中，它能够有效提升能效，减少热设计压力，并满足汽车行业对长寿命和高可靠性的核心要求。

• 型号:STH400N4F6-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:404 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH400N4F6-6是ST意法半导体基于Automotive, AEC-Q101, DeepGATE, STripFET VI技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用H2PAK-6封装，设计用于高电流、高效率的开关应用。

其核心电气特性包括40V的漏源电压（Vdss）以及高达180A（Tc）的连续漏极电流。关键优势在于极低的导通电阻，典型值仅为1.15毫欧（@60A，10V），这能显著降低功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）典型值为404nC，有助于实现快速的开关速度。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，并通过了汽车级AEC-Q101认证，确保了在严苛环境下的可靠运行。